Постановление Правительства Российской Федерации от 19.07.2022 г. № 1299

="13">

8542 31 300 0;8542 32 300 0;8542 33 300 0;8542 39 300 0;8543 20 000 0

а) определенные для создания импульсно-модулированных сигналов в любом месте диапазона частот выше 31, 8 ГГц, но не превышающего 37 ГГц, имеющие все следующее:длительность импульса менее 25 нс;и отношение уровня генерируемого импульса к уровню просачивающегося сигнала в паузе 65 дБ или болееТехническое примечание.Для целей абзаца первого подпункта "а" пункта 3.1.2.3 длительность импульса определяется как временной интервал от точки на переднем фронте импульса, который составляет 50 процентов амплитуды импульса, до точки на заднем фронте импульса, который составляет 50 процентов амплитуды импульса;б) выходную мощность более 100 мВт (20 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) в любом месте диапазона частот выше 43, 5 ГГц, но не превышающего 90 ГГц;в) время переключения частоты, определенное любым из следующего:менее 100 мкс для любого изменения частоты, превышающего 2, 2 ГГц, в пределах диапазона частот выше 4, 8 ГГц, но не превышающего31, 8 ГГц;менее 500 мкс для любого изменения частоты, превышающего 550 МГц, в пределах диапазона частот выше 31, 8 ГГц, но не превышающего37 ГГц; илименее 100 мкс для любого изменения частоты, превышающего 2, 2 ГГц, в пределах диапазона частот выше 37 ГГц, но не превышающего90 ГГц;г) фазовый шум одной боковой полосы (ОБП) в единицах (дБ по шкале C шумомера) /Гц, как определено любым из следующего:меньше (лучше) -(126 + 20 log10F - 20 log10f) в любом месте диапазона 10 Гц

10 кГц в пределах диапазона частот выше 3, 2 ГГц, но не превышающего 90 ГГц; илименьше (лучше) -(206 - 20 log10f) в любом месте диапазона 10 кГц < F

100 кГц в пределах диапазона частот выше 3, 2 ГГц, но не превышающего 90 ГГцТехническое примечание.В подпункте "г" пункта 3.1.2.3 F - смещение от рабочей частоты в Гц, а f - рабочая частота в МГцд) радиочастотную ширину полосы модулирующих частот цифровых немодулированных сигналов, обладающую любой из следующих характеристик:превышающую 2, 2 ГГц в пределах диапазона частот выше 4, 8 ГГц, но не превышающего31, 8 ГГц;превышающую 550 МГц в пределах диапазона частот выше 31, 8 ГГц, но не превышающего37 ГГц; илипревышающую 2, 2 ГГц в пределах диапазона частот выше 37 ГГц, но не превышающего90 ГГц; илиТехническое примечание.Радиочастотная ширина полосы модулирующих частот - радиочастотная ширина полосы частот, производимая цифровым немодулированным сигналом закодированного цифрового радиочастотного сигнала. Также называется шириной информационной полосы частот или векторной шириной полосы частот модуляции. I/Q цифровая модуляция является техническим методом, производящим векторно-модулированные радиочастотные выходные сигналы. Такие выходные сигналы обычно определяются как имеющие радиочастотную ширину полосы частот модуляциие) максимальную частоту, превышающую90 ГГц Примечания:1. Для целей пункта 3.1.2.3 генераторы сигналов включают в себя генераторы импульсов произвольной формы и генераторы функцийТехническое примечание.Максимальная частота генератора импульсов произвольной формы или генератора функций определяется путем деления частоты выборки (выборка/с) на коэффициент 2, 52. Пункт 3.1.2.3 не применяется к аппаратуре, в которой выходная частота создается либо путем сложения или вычитания частот с двух или более кварцевых генераторов, либо путем сложения или вычитания с последующим умножением результирующей частоты;

3.1.2.4.

Схемные анализаторы, имеющие любое из следующего:

9030 40 000 0

а) выходную мощность, превышающую31, 62 мВт (15 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) в пределах диапазона рабочих частот выше 43, 5 ГГц, но не превышающего90 ГГц;б) выходную мощность, превышающую 1 мВт (0 дБ, отсчитываемых относительно уровня1 мВт) в пределах диапазона рабочих частот выше 90 ГГц, но не превышающего 110 ГГц;в) функцию нелинейного векторного анализа на частотах выше 50 ГГц, но не превышающих110 ГГц; илиТехническое примечание.Нелинейным вектором измерения функциональности является способность прибора анализировать результаты испытаний устройств, приводящих в область большого сигнала или в диапазон нелинейного искаженияг) максимальную рабочую частоту, превышающую 110 ГГц;

3.1.2.5.

Микроволновые приемники-тестеры, имеющие все следующие характеристики:

8517 69 390 0

а) максимальную рабочую частоту, превышающую 110 ГГц; иб) способные одновременно измерять амплитуду и фазу;

3.1.2.6.

Атомные эталоны частоты:

3.1.2.6.1.

Пригодные для применения в космосе

8542 31 300 0;8542 32 300 0;8542 33 300 0;8542 39 300 0;8543 20 000 0

Особое примечание.В отношении атомных эталонов частоты, указанных в пункте 3.1.2.6.1, см. такжепункт 3.1.1 раздела 2;

3.1.2.6.2.

Не являющиеся рубидиевыми эталонами и имеющие долговременную стабильность меньше (лучше) 1 x 10-11 в месяц;

8542 31 300 0;8542 32 300 0;8542 33 300 0;8542 39 300 0;8543 20 000 0

3.1.2.6.3.

Рубидиевые эталоны, непригодные для применения в космосе и имеющие все нижеследующее:

8542 31 300 0;8542 32 300 0;8542 33 300 0;8542 39 300 0;8543 20 000 0

а) долговременную стабильность меньше (лучше) 1 x 10-11 в месяц; иб) суммарную потребляемую мощность менее1 Вт;

3.1.2.7.

Электронные сборки, модули или оборудование, предназначенные для выполнения всего следующего:а) аналого-цифровых преобразований, имеющих любую из следующих характеристик:разрешающую способность 8 бит или более, но менее 10 бит с частотой выборки более1, 3 млрд. выборок в секунду;разрешающую способность 10 бит или более, но менее 12 бит с частотой выборки более1 млрд. выборок в секунду;разрешающую способность 12 бит или более, но менее 14 бит с частотой выборки более1 млрд. выборок в секунду;разрешающую способность 14 бит или более, но менее 16 бит с частотой выборки более400 млн. выборок в секунду; илиразрешающую способность 16 бит или более с частотой выборки более 180 млн. выборок в секунду; иб) любых следующих действий:вывода оцифрованных данных;хранения оцифрованных данных; илиобработки оцифрованных данных

8471 90 000 0;8541 59 000 0

Особое примечание.Устройства записи цифровых данных, осциллографы, анализаторы сигналов, генераторы сигналов, сетевые анализаторы и микроволновые приемники-тестеры определены в пунктах 3.1.2.3, 3.1.2.4, 3.1.2.5 и 3.1.2.6 соответственно

(Особое примечание в редакции Постановления Правительства Российской Федерации от 16.03.2024 № 308)

Технические примечания:1. Разрешающая способность n битов соответствует 2n уровням квантования.2. Разрешающей способностью АЦП является количество битов цифрового выходного сигнала, который представляет измеренный аналоговый входной сигнал. Эффективное количество битов не применяется для определения разрешающей способности АЦП.3. Для многоканальных электронных сборок, модулей или оборудования без временного разделения каналов выходные сигналы не объединяются и частотой выборки является максимальная частота выборки любого канала.4. Для многоканальных электронных сборок, модулей или оборудования с временным разделением каналов частоты выборок объединяются и частотой выборки является максимальная объединенная общая частота выборки всех каналов с временным разделением Примечание.Пункт 3.1.2.7 включает платы АЦП, дискретизаторы аналоговых сигналов, платы сбора данных, платы обработки сигналов и устройства регистрации переходных процессов

3.1.3.

Терморегулирующие системы охлаждения диспергированной жидкостью, использующие оборудование с замкнутым контуром для перемещения и регенерации жидкости в герметичной камере, в которой жидкий диэлектрик распыляется на электронные компоненты при помощи специально разработанных распыляющих сопел, применяемых для поддержания температуры электронных компонентов в пределах их рабочего диапазона, а также специально разработанные для них компоненты

8419 89 989 0;8424 89 000 9;8479 89 970 7

3.2.

Испытательное, контрольное и производственное оборудование

3.2.1.

Нижеперечисленное оборудование для производства полупроводниковых приборов или материалов и специально разработанные компоненты и оснастка для них:

3.2.1.1.

Оборудование, разработанное для эпитаксиального выращивания:

3.2.1.1.1.

Оборудование, разработанное или модифицированное для производства слоя из любого материала, отличного от кремния, с отклонением равномерности толщины менее± 2, 5 процента на расстоянии 75 мм или более

8486 10 000 9

Примечание.Пункт 3.2.1.1.1 включает оборудование для эпитаксиального выращивания атомного слоя;

3.2.1.1.2.

Установки (реакторы) для химического осаждения из паровой фазы металлоорганических соединений, разработанные для эпитаксиального выращивания полупроводниковых соединений из материала, содержащего два или более из следующих элементов: алюминий, галлий, индий, мышьяк, фосфор, сурьма или азот;

8486 20 900 9

3.2.1.1.3.

Оборудование для молекулярно-эпитаксиального выращивания с использованием газообразных или твердых источников;

3.2.1.2.

Оборудование, разработанное или оптимизированное для ионной имплантации, имеющее любую из следующих характеристик:

8486 20 900 9

а) энергию пучка 20 кэВ или более и силу тока пучка 10 мА или более для водородных, дейтериевых или гелиевых имплантатов;б) возможность непосредственного формирования рисунка;в) энергию пучка 65 кэВ или более и силу тока пучка 45 мА или более для высокоэнергетической имплантации кислорода в нагретую подложку полупроводникового материала; илиг) энергию пучка 20 кэВ или более и силу тока пучка 10 мА или более для имплантации кремния в подложку полупроводникового материала, нагретую до температуры 600°C или более;

3.2.1.3.

Автоматически загружаемые многокамерные системы с центральным транспортно-загрузочным устройством для пластин (подложек) , имеющие все следующее:

8456 40 000 0;8456 90 000 0;8479 50 000 0;8486 20 900 2;8486 20 900 3

а) средства сопряжения для загрузки и выгрузки пластин (подложек) , разработанные для возможности присоединения более двух отличных по функциональным возможностям инструментов для обработки полупроводников, определенных в пункте 3.2.1.1.1, 3.2.1.1.2, 3.2.1.1.3 или 3.2.1.2; иб) разработанные для создания интегрированной системы последовательной многопозиционной обработки пластин (подложек) в вакуумеТехнические примечания:1. Для целей пункта 3.2.1.5 инструменты для обработки полупроводников относятся к инструментам модульной конструкции, которые обеспечивают такие, отличные по функциональности, физические процессы производства полупроводников, как осаждение, имплантация или термообработка.2. Для целей пункта 3.2.1.5 многопозиционная обработка пластин (подложек) означает возможность обрабатывать каждую пластину (подложку) с помощью различных инструментов для обработки полупроводников, например, путем передачи каждой пластины (подложки) от первого инструмента ко второму и далее к третьему посредством автоматически загружаемых многокамерных систем с центральным транспортно-загрузочным устройствомПримечание.Пункт 3.2.1.5 не применяется к автоматическим роботизированным системам для загрузки-разгрузки пластин (подложек) , специально разработанным для параллельной обработки пластин (подложек) ;

3.2.1.4.

Оборудование для литографии:

3.2.1.4.1.

Оборудование для обработки пластин с использованием методов оптической или рентгеновской литографии с пошаговым совмещением и экспозицией (непосредственно на пластине) или сканированием (сканер) , имеющее любое из следующего:

8443 39 390 0;

8486 10 000

а) источник света с длиной волны короче193 нм; илиб) возможность формирования рисунка с минимальным разрешаемым размером элемента 45 нм и менее Техническое примечание.Минимальный разрешаемый размер элемента (МРР) рассчитывается по следующей формуле:МРР = (длина волны источника света в нанометрах) x (К фактор) / (числовая апертура) , где К фактор = 0, 35;

(Пункт в редакции Постановления Правительства Российской Федерации от 16.03.2024 № 308)

3.2.1.4.2.

Литографическое оборудование для печати, способное создавать элементы размером 45 нм или менее

8443 39;8486 20 900

Примечание.Пункт 3.1.2.4 включает: а) инструментальные средства для микроконтактной литографии;б) инструментальные средства для горячего тиснения;в) литографические инструментальные средства для нанопечати;г) литографические инструментальные средства для поэтапной и мгновенной печати;

(Пункт в редакции Постановления Правительства Российской Федерации от 16.03.2024 № 308)

3.2.1.4.3.

Оборудование, специально разработанное для изготовления шаблонов, удовлетворяющее всем следующим условиям:а) использующее отклоняемый сфокусированный электронный, ионный или лазерный пучок; иб) имеющее любую из следующих характеристик:полную ширину пятна на полувысоте пучка менее 65 нм и на поверхности размещения изображения менее 17 нм (с вероятностью+3 сигма) ; илипогрешность совмещения второго слоя менее 23 нм (с вероятностью +3 сигма) на шаблоне;

8456 11 000 0;8456 12 000 0;8486 20 900 3;8486 40 000 1

3.2.1.4.4.

Производственное оборудование, разработанное для прямого формирования рисунка на подложке, удовлетворяющее всем следующим условиям:а) использующее отклоняемый сфокусированный электронный пучок; иб) имеющее любую из следующих характеристик:минимальный диаметр пучка 15 нм или менее; илипогрешность совмещения второго слоя менее 27 нм (с вероятностью +3 сигма) ;

8456 11 000 0;8456 12 000 0;8486 20 900 3;8486 40 000 1

3.2.1.5.

Маски и промежуточные шаблоны, разработанные для производства интегральных схем, определенных в пункте 3.1.1;

8486 90 900 3

3.2.1.6.

Многослойные шаблоны с фазосдвигающим слоем, иные чем определенные в пункте 3.2.1.6 и разработанные для применения в литографическом оборудовании, имеющем длину волны источника оптического излучения менее 245 нм

8486 90 900 3

Примечание.Пункт 3.2.1.8 не применяется к многослойным шаблонам с фазосдвигающим слоем, разработанным для изготовления запоминающих устройств, иных чем определенных в пункте 3.1.1Особое примечание.Для масок и промежуточных шаблонов, специально разработанных для оптических датчиков см. пункт 6.2.2;

3.2.1.7.

Литографические шаблоны для печати, разработанные для интегральных схем, определенных в пункте 3.1.1

8486 90 900 3

3.2.1.8.

Шаблонные заготовки (на подложке) со структурой многослойного зеркала, состоящие из молибдена и кремния и имеющие все следующие характеристики:

8486 90 900 3

а) специально разработанные для субмикронной ультрафиолетовой литографии; иб) совместимые со стандартом SEMI P37 Техническое примечание."Субмикронная ультрафиолетовая" относится к длинам волны электромагнитного спектра более 5 нм и менее 124 нм

3.2.2.

Оборудование, специально разработанное для испытания готовых или находящихся в разной степени изготовления полупроводниковых приборов, и специально разработанные для этого компоненты и приспособления:

3.2.2.1.

Для измерения S-параметров изделий, определенных в пункте 3.1.1.2.3;

9031 80 380 0

3.2.2.2.

Для испытания изделий, определенных в пункте 3.1.1.2.2

9030;9031 20 000 0;9031 80 380 0

3.3.

Материалы

3.3.1.

Гетероэпитаксиальные структуры (материалы) , состоящие из подложки с несколькими последовательно наращенными эпитаксиальными слоями любого из следующих материалов:

3.3.1.1.

Кремний (Si) ;

3818 00 100 0;3818 00 900 0

3.3.1.2.

Германий (Ge) ;

3818 00 900 0

3.3.1.3.

Карбид кремния (SiC) ;

3818 00 900 0

(Пункт в редакции Постановления Правительства Российской Федерации от 26.01.2023 № 105)

3.3.1.4.

Соединения III - V на основе галлия или индия

3818 00 900 0

Примечание.Пункт 3.3.1.4 не применяется к подложкам, имеющим один эпитаксиальный слой P-типа или более на основе соединений GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AllnP или InGaAlP, независимо от последовательности элементов, за исключением случаев, когда эпитаксиальный слой P-типа находится между слоями N-типа

3.3.1.5.

Оксид галлия (Ga2O3) ; или

(Дополнение пунктом - Постановление Правительства Российской Федерации от 26.01.2023 № 105)

3.3.1.6.

Алмаз (С)

(Дополнение пунктом - Постановление Правительства Российской Федерации от 26.01.2023 № 105)

3.3.2.

Резисты, определенные ниже, а также подложки, покрытые ими:

3.3.2.1.

Резисты, разработанные для полупроводниковой литографии:

3824 84 000 0;3824 85 000 0;3824 86 000 0;3824 87 000 0;3824 88 000 0;3824 99 920 3;3824 99 920 8;3824 99 960 8

а) позитивные резисты, приспособленные (оптимизированные) для использования на длине волны в диапазоне от 15 нм до 193 нм;б) резисты, приспособленные (оптимизированные) для использования на длине волны в диапазоне от более 1 нмдо 15 нм;

3.3.2.2.

Все резисты, разработанные для использования при экспонировании электронными или ионными пучками, с чувствительностью0, 01 мкКл/мм2 или лучше;

Новости

ПОРТАЛ ПРАВИТЕЛЬСТВА РОССИИ