Постановление Правительства Российской Федерации от 19.07.2022 г. № 1299

в формуле, определенной в подпункте "в" пункта 3.1.1.2.11, для приемо-передающих или передающих модулей, которые имеют заявленный рабочий диапазон, увеличивающий нисхождениедо 2, 7 ГГц и ниже, то есть:d 15 см x ГГц x N/2, 7 ГГц.

6. Пункт 3.1.1.2.11 применяется к приемо-передающим модулям или передающим модулям с теплоотводом (радиатором) или без него. Значение длины (d) , указанной в подпункте "в" пункта 3.1.1.2.11, не включает в себя части приемо-передающих модулей или передающих модулей, работающих в качестве теплоотвода (радиатора) .7. Приемо-передающие модули, или передающие модули, или приемо-передающие монолитные микроволновые интегральные схемы, или передающие интегральные схемы могут иметь или не иметь N элементов встроенных излучающих антенн, где N - количество передающих или приемо-передающих каналов Технические примечания:1. Для целей пункта 3.1.1.2 пиковой выходной мощностью в режиме насыщения может также называться (в соответствии со спецификацией производителя) выходная мощность, выходная мощность в режиме насыщения, максимальная выходная мощность, пиковая выходная мощность или пиковая огибающая выходная мощность.2. Синтезатор частот - любой источник частоты, независимо от используемого фактического метода генерации, обеспечивающий множественность одновременных или альтернативных выходных частот (от одного или нескольких выходов) , контролируемых, получаемых или регулируемых меньшим числом стандартных (или специальных) частотОсобое примечание.Для анализаторов сигналов, генераторов сигналов, схемных анализаторов и микроволновых приемников-тестеров общего назначения см. пункты 3.1.2.2, 3.1.2.3, 3.1.2.4 и 3.1.2.5 соответственно;

3.1.1.3.

Приборы на акустических волнах и специально разработанные для них компоненты:

3.1.1.3.1.

Приборы на поверхностных акустических волнах и на акустических волнах в тонком поверхностном слое, имеющие любую из следующих характеристик:

8541 60 000 0

а) центральную частоту выше 6 ГГц;б) центральную частоту выше 1 ГГц, но не превышающую 6 ГГц, и имеющие любую из следующих характеристик:частотное подавление боковых лепестков более 65 дБ;произведение максимального времени задержки (в мкс) на ширину полосы частот (в МГц) более 100;ширину полосы частот выше 250 МГц;илидисперсионную задержку более 10 мкс;илив) центральную частоту 1 ГГц и ниже и имеющие любую из следующих характеристик:произведение максимального времени задержки (в мкс) на ширину полосы частот (в МГц) более 100;дисперсионную задержку более 10 мкс; иличастотное подавление боковых лепестков более 65 дБ и ширину полосы частот, превышающую 100 МГцТехническое примечание.Частотное подавление боковых лепестков - максимальная величина подавления, определенная в перечне технических характеристик (проспекте изделия) ;

3.1.1.3.2.

Приборы на объемных акустических волнах, обеспечивающие непосредственную обработку сигналов на частотах, превышающих 6 ГГц;

8541 60 000 0

3.1.1.3.3.

Акустооптические приборы обработки сигналов, использующие взаимодействие между акустическими волнами (объемными или поверхностными) и световыми волнами, что позволяет непосредственно обрабатывать сигналы или изображения, включая анализ спектра, корреляцию или свертку

8541 60 000 0

Примечание.Пункт 3.1.1.3 не применяется к приборам на акустических волнах, ограниченным пропусканием сигнала через однополосный фильтр, фильтр низких или верхних частот или узкополосный режекторный фильтр или функцией резонирования;

3.1.1.4.

Электронные приборы и схемы, содержащие компоненты, изготовленные из сверхпроводящих материалов, специально разработанные для работы при температурах ниже критической температуры хотя бы одной из сверхпроводящих составляющих, и имеющие любое из следующего:

8540;8541;8542;8543

а) переключение тока для цифровых схем, использующих сверхпроводящие вентили, у которых произведение времени задержки на вентиль (в секундах) на рассеиваемую мощность на вентиль (в ваттах) менее 10-14 Дж; илиб) селекцию частоты на всех частотах с использованием резонансных контуров с добротностью, превышающей 10000;

3.1.1.5.

Нижеперечисленные мощные энергетические устройства:

3.1.1.5.1.

Элементы:

3.1.1.5.1.1.

Первичные элементы, имеющие любую из следующих характеристик при температуре20°C:

8506

а) плотность энергии, превышающую550 Вт·ч/кг, и плотность длительной мощности выше 50 Вт/кг; илиб) плотность энергии, превышающую50 Вт·ч/кг, и плотность длительной мощности выше 350 Вт/кг;

3.1.1.5.1.2.

Вторичные элементы с плотностью энергии, превышающей 350 Вт· ч/кг при температуре20°C

8507

Технические примечания:1. Для целей пункта 3.1.1.5.1 плотность энергии (Вт·ч/кг) определяется произведением номинального напряжения в вольтах на номинальную емкость в ампер-часах, поделенным на массу в килограммах.Если номинальная емкость не установлена, плотность энергии определяется произведением возведенного в квадрат номинального напряжения в вольтах на длительность разряда в часах, поделенным на произведение сопротивления нагрузки разряда в омах на массу в килограммах.2. Для целей пункта 3.1.1.5.1 "элемент" определяется как электрохимическое устройство, имеющее положительные и отрицательные электроды и электролит и являющееся источником электроэнергии.Он является основным компоновочным блоком батареи.3. Для целей пункта 3.1.1.5.1.1 "первичный элемент" определяется как "элемент", который не предназначен для заряда каким-либо другим источником энергии.4. Для целей пункта 3.1.1.5.1.2 "вторичный элемент" определяется как "элемент", который предназначен для заряда каким-либо внешним источником энергии5. Для целей пункта 3.1.1.5.1.1 плотность длительной мощности (Вт/кг) определяется как произведение номинального напряжения в вольтах на определенный максимальный продолжительный ток разряда в амперах, поделенное на массу в килограммах. Плотностью длительной мощности можно также считать определенную мощность

3.1.1.5.2.

Высокоэнергетические накопительные конденсаторы:

3.1.1.5.2.1.

Конденсаторы с частотой повторения ниже10 Гц (одноразрядные конденсаторы) , имеющие все следующие характеристики:

8506;8507;8532

а) номинальное напряжение 5 кВ или более;б) плотность энергии 250 Дж/кг или более; ив) полную энергию 25 кДж или более;

3.1.1.5.2.2.

Конденсаторы с частотой повторения 10 Гц и выше (многоразрядные конденсаторы) , имеющие все следующие характеристики:

8506;8507;8532

а) номинальное напряжение 5 кВ или более;б) плотность энергии 50 Дж/кг или более;в) полную энергию 100 Дж или более; иг) количество циклов заряд-разряда 10000 или более;

3.1.1.5.3.

Сверхпроводящие электромагниты и соленоиды, специально разработанные на полный заряд или разряд менее чем за 1 с, имеющие все следующие характеристики:

8504 50;8505 90 200 9

а) энергию, выделяемую при разряде, превышающую 10 кДж за первую секунду;б) внутренний диаметр токонесущих обмоток более 250 мм; ив) номинальную магнитную индукцию более 8 Т или суммарную плотность тока в обмотке более 300 А/мм2

Примечание.Пункт 3.1.1.5.3 не применяется к сверхпроводящим электромагнитам или соленоидам, специально разработанным для медицинской аппаратуры отображения магнитного резонанса (аппаратуры магниторезонансной томографии) ;

3.1.1.5.4.

Солнечные элементы, сборки электрически соединенных элементов под защитным стеклом, солнечные панели и солнечные батареи, пригодные для применения в космосе, имеющие минимальное значение среднего КПД элементов более 20 процентов при рабочей температуре 301 К (28°C) под освещением с поверхностной плотностью потока излучения 1367 Вт/м2 при имитации условий нулевой воздушной массы (АМО)

8541 42 000 08541 43 000 08541 49 000 0

Техническое примечание.АМО (нулевая воздушная масса) определяется спектральной плотностью потока солнечного света за пределами атмосферы при расстоянии между Землей и Солнцем, равном одной астрономической единице (АЕ) ;Примечание.Пункт 3.1.1.5 не применяется к батареям, включая батареи, содержащие один элемент;

3.1.1.6.

Преобразователи абсолютного углового положения вала, имеющие точность на входе в код, равную 1, 0 угловая секунда или меньше (лучше) , и специально разработанные для них кольца, диски или счетчики;

9031 80 320 0;9031 80 340 0

3.1.1.7.

Твердотельные импульсные силовые коммутационные тиристорные устройства и тиристорные модули, использующие методы электрического, оптического или электронно-эмиссионного управления переключением, имеющие любую из следующих характеристик:

8536 50 040 0;8541 51 000 0;8541 59 000 0;8541 30 000 9

а) максимальную скорость нарастания отпирающего тока (di/dt) более 30000 А/мкс и напряжение в закрытом состоянии более1100 В; илиб) максимальную скорость нарастания отпирающего тока (di/dt) более 2000 А/мкс и все нижеследующее:пиковое напряжение в закрытом состоянии, равное 3000 В или более; ипиковый ток (ударный ток) , равный или более 3000 А Примечания:1. Пункт 3.1.1.7 включает:кремниевые триодные тиристоры;электрические триггерные тиристоры;световые триггерные тиристоры;коммутационные тиристоры с интегральными вентилями;вентильные запираемые тиристоры;управляемые тиристоры на МОП-структуре (структуре металл - оксид - полупроводник) ;солидтроны.2. Пункт 3.1.1.7 не применяется к тиристорным устройствам и тиристорным модулям, включенным в состав аппаратуры, разработанной для применения на железнодорожном транспорте или в гражданских летательных аппаратахТехническое примечание.Для целей пункта 3.1.1.7 тиристорный модуль содержит одно или несколько тиристорных устройств;

3.1.1.8.

Твердотельные силовые полупроводниковые переключатели, диоды или модули, имеющие все следующие характеристики:

8504 40 830 0;8536 50 040 0;8536 50 060 0;8541 10 000 9;8541 21 000 0;8541 29 000 0;8541 30 000 9;8541 51 000 0;8541 59 000 0

а) рассчитанные для максимальной рабочей температуры p-n-перехода выше 488 К (215°C) ;б) повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии (блокирующее напряжение) , превышающее 300 В; ив) постоянный ток более 1 А Примечания:1. Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии в пункте 3.1.1.8 включает напряжение сток - исток, выходное остаточное напряжение, повторяющееся импульсное обратное напряжение и блокирующее импульсное напряжение в закрытом состоянии.2. Пункт 3.1.1.8 включает:канальные полевые транзисторы с p-n-переходом (JFET) ;канальные полевые транзисторы с вертикальным p-n-переходом (VJFET) ;канальные полевые униполярные транзисторы на МОП-структуре (структуре металл - оксид - полупроводник) (MOSFET) ;канальные полевые двойные диффузные металл-оксид полупроводниковые транзисторы (DMOSFET) ;трехфазные тяговые преобразователи на транзисторных ключах (IGBN) ;транзисторы с высокой подвижностью электронов (ВПЭ-транзисторы) (HMET) ;биполярные плоскостные транзисторы (BJT) ;тиристоры и управляемые кремниевые выпрямители (диоды) (SCR) ;высоковольтные полупроводниковые запираемые тиристоры (GTO) ;тиристоры с эмиттерами включения (ETO) ;регулируемые резистивные диоды (PIN-диоды) ;диоды Шоттки.3. Пункт 3.1.1.8 не применяется к переключателям, диодам или модулям, включенным в состав аппаратуры, разработанной для применения на железнодорожном транспорте, в гражданских автомобилях или в гражданских летательных аппаратахТехническое примечание.Для целей пункта 3.1.1.8 модуль содержитодин или несколько твердотельных силовых полупроводниковых переключателей или диодов

3.1.1.9.

Электрооптические модуляторы интенсивности, амплитуды или фазы, разработанные для аналоговых сигналов и имеющие любую из следующих характеристик:а) максимальную рабочую частоту более10 ГГц, но менее 20 ГГц, оптические вносимые потери 3 дБ или менее и имеющие любую из следующих характеристик:1) полуволновое напряжение (

) менее 2, 7 В, измеренное на частоте 1 ГГц или менее; или2) полуволновое напряжение (

) менее 4 В, измеренное на частоте более 1 ГГц; илиб) максимальную рабочую частоту 20 ГГц или более, оптические вносимые потери 3 дБ или менее и имеющие любую из следующих характеристик:1) полуволновое напряжение (

) менее 3, 3 В, измеренное на частоте 1 ГГц или менее; или2) полуволновое напряжение (

) менее 5 В, измеренное на частоте более 1 ГГц Примечание.Пункт 3.1.1.9 включает электрооптические модуляторы, имеющие оптические входные и выходные разъемы (например, оптоволоконные гибкие выводы) Техническое примечание.Для целей пункта 3.1.1.9 полуволновым напряжением (

) является приложенное напряжение, необходимое для совершения фазового перехода в 180 градусов на длине волны распространения излучения через оптический модулятор

3.1.2.

Нижеперечисленные электронные сборки, модули и аппаратура общего назначения и принадлежности для них:

3.1.2.1.

Записывающая аппаратура и осциллографы: Особое примечание.Для приборов преобразования сигналов в цифровую форму и записи переходных процессов см. пункт 3.1.2.7;

3.1.2.1.1.

Устройства записи цифровых данных, удовлетворяющие всем следующим условиям:

8471 50 000 0;8471 60;8471 70 200 0;8471 70 300 0;8471 70 500 0;8519 89 900 9;8521 90 000 9;8522 90 400 0;8522 90 810 0;8542 31 300 0;8542 32 300 0;8542 33 300 0;8542 39 300 0

а) обладающие устойчивой пропускной способностью диска или твердотельной памяти более 6, 4 Гбит/с; иб) выполняющие обработку параметров радиочастотного сигнала одновременно с его записьюТехнические примечания:1. Для устройств записи с архитектурой на параллельной шине пропускная способность - произведение наивысшей скорости записи слов на количество бит (разрядов) в слове.2. Пропускная способность - наивысшая скорость, с которой устройство может производить запись на диск или в твердотельную память без потери информации при сохранении скорости ввода данных или дискретизации;

3.1.2.1.2.

Осциллографы, работающие в реальном масштабе времени, имеющие среднеквадратичное напряжение собственных шумов по вертикальной оси менее 2 процентов полной шкалы при вертикальной настройке, обеспечивающей минимальный уровень шума в полосе пропускания 60 ГГц на канал или более по уровню 3 дБ на любом из выходов

9030 20

Примечание.Пункт 3.1.2.1.2 не применяется к стробоскопическим осциллографам эквивалентного времени;

3.1.2.2.

Анализаторы сигналов:

3.1.2.2.1.

Анализаторы сигналов, имеющие разрешающую способность 3 дБ для ширины полосы пропускания более 40 МГц в любой точке частотного диапазона выше 31, 8 ГГц, но не превышающего 37 ГГц;

9030 84 000 9;9030 89 300 0

3.1.2.2.2.

Анализаторы сигналов, имеющие отображаемый на дисплее средний уровень шума (ОСУШ) меньше (лучше) -150 дБм/Гц в любой точке частотного диапазона выше 43, 5 ГГц, но не превышающего 90 ГГц;

9030 84 000 9;9030 89 300 0

3.1.2.2.3.

Анализаторы сигналов, способные анализировать сигналы с частотой выше 90 ГГц;

9030 84 000 9;9030 89 300 0

3.1.2.2.4.

Анализаторы сигналов, имеющие все следующие характеристики:

9030 20 300 9;9030 32 000 9;9030 39 000 9;9030 84 000 9;9030 89 300 0

а) полосу частот в реальном масштабе времени, превышающую 170 МГц; иб) имеющие любую из следующих характеристик:стопроцентную вероятность обнаружения сигналов длительностью 15 мкс или менее со снижением менее 3 дБ от полной амплитуды вследствие промежутков или эффектов окон; илифункцию механизма запуска по частотной маске (триггера маски частоты) со стопроцентной вероятностью захвата сигналов длительностью 15 мкс или менее Технические примечания:1. Полоса частот в реальном масштабе времени (для динамических анализаторов сигналов) - наиболее широкий диапазон частот сигнала, который анализатор может выдать на отображающее или запоминающее устройство без нарушения непрерывности анализа входной информации. Для многоканальных анализаторов при оценке полосы частот в реальном масштабе времени должна использоваться конфигурация канала с наибольшим значением данного параметра.2. Вероятность обнаружения, указанная в подпункте "б" пункта 3.1.2.2.4, также может называться вероятностью перехвата или захвата сигнала.3. Для целей подпункта "б" пункта 3.1.2.2.4 длительность сигнала, необходимая для стопроцентной вероятности его обнаружения, является эквивалентом минимальной длительности сигнала, необходимой для заданного уровня погрешности измерения.4. Механизм запуска по частотной маске для анализаторов сигналов - механизм, при применении которого функция запуска способна выбрать частотный диапазон для запуска анализатора сигнала в пределах полосы пропускания, игнорируя при этом другие сигналы, которые могут также присутствовать в пределах этой полосы пропускания. Механизм запуска по частотной маске может содержать более одного независимого набора ограничений Примечание.Пункт 3.1.2.2.4 не применяется к анализаторам сигналов, использующим только фильтры с полосой пропускания фиксированных долей (известны также как октавные или дробно-октавные фильтры) ;

3.1.2.3.

Генераторы сигналов, имеющие любую из следующих характеристик:

8542 31 300 0;8542 32 300 0;8542 33 300 0;8542 39 300 0;8543 20 000 0

а) определенные для создания импульсно-модулированных сигналов в любом месте диапазона частот выше

Новости

ПОРТАЛ ПРАВИТЕЛЬСТВА РОССИИ