ботанные для использования при экспонировании электронными или ионными пучками, с чувствительностью0, 01 мкКл/мм2 или лучше;
3824 84 000 0;3824 85 000 0;3824 86 000 0;3824 87 000 0;3824 88 000 0;3824 99 920 3;3824 99 920 8;3824 99 960 8 | 3.3.2.3. | Все резисты, оптимизированные под технологии формирования рисунка | 3824 84 000 0;3824 85 000 0;3824 86 000 0;3824 87 000 0;3824 88 000 0;3824 99 920 3;3824 99 920 8;3824 99 960 8 |
3.3.2.4. | Все резисты, разработанные или приспособленные для применения с оборудованием для литографической печати, определенным в пункте 3.1.2.4 и использующим процесс термообработки или светоотверждения | 3824 84 000 0;3824 85 000 0;3824 86 000 0;3824 87 000 0;3824 88 000 0;3824 99 920 3;3824 99 920 8;3824 99 960 8 |
(Пункт в редакции Постановления Правительства Российской Федерации от 16.03.2024 № 308) |
3.3.3. | Следующие органо-неорганические соединения: | |
3.3.3.1. | Металлоорганические соединения алюминия, галлия или индия с чистотой металлической основы более 99, 999 процента; | 2931 90 000 9 |
3.3.3.2. | Органические соединения мышьяка, сурьмы и фосфорорганические соединения с чистотой основы неорганического элемента более 99, 999 процента | 2931 |
| | Примечание.Пункт 3.3.3 применяется только к соединениям, металлический, частично металлический или неметаллический элемент в которых непосредственно связан с углеродом органической части молекулы | |
3.3.4. | Гидриды фосфора, мышьяка или сурьмы, имеющие чистоту более 99, 999 процента, даже будучи растворенными в инертных газах или водороде | 2850 00 200 0;2853 90 900 0 |
| Примечание.Пункт 3.3.4 не применяется к гидридам, содержащим 20 процентов или более молей инертных газов или водорода | |
3.3.5. | Материалы с высоким сопротивлением: а) полупроводниковые подложки из карбида кремния (SiC) , нитрида галлия (GaN) , нитрида алюминия (AlN) , нитрида галлия-алюминия (AlGaN) , оксида галлия (Ga2O3) , алмаза (C) или слитки, були, а также другие преформы из указанных материалов, имеющие удельное сопротивление более 10000 Ом·смпри температуре 20°C; б) поликристаллические или керамические подложки, имеющие сопротивление более 10000 Ом·см при температуре 20°C и как минимум один неэпитаксиальный монокристаллический слой из кремния (Si) , карбида кремния (SiC) , нитрида галлия (GaN) , нитрида алюминия (AlN) , нитрида галлия-алюминия (AlGaN) , оксида галлия (Ga2O3) или алмаза (C) на поверхности подложки | 3818 00 900 0 |
(Пункт в редакции Постановления Правительства Российской Федерации от 26.01.2023 № 105) |
3.3.6. | Материалы, не определенные в пункте 3.3.1, состоящие из подложек, определенных в пункте 3.3.5, содержащие по крайней мере один эпитаксиальный слой из карбида кремния (SiC) , нитрида галлия (GaN) , нитрида алюминия (AlN) , нитрида галлия-алюминия (AlGaN) , оксида галлия (Ga2O3) или алмаза (C) | 3818 00 900 0 |
(Пункт в редакции Постановления Правительства Российской Федерации от 26.01.2023 № 105) |
3.4. | Программное обеспечение | |
3.4.1. | Программное обеспечение, специально разработанное для разработки или производства оборудования, определенногов пунктах 3.1.1.2 - 3.1.2.7 или 3.2 | |
3.4.2. | Программное обеспечение, специально разработанное для применения оборудования, определенного в пунктах 3.2.1.1 - 3.2.1.6 или 3.2.2 | |
3.4.3. | Программное обеспечение для вычислительной литографии, специально разработанное для формирования рисунков на масках или промежуточных шаблонах, получаемых путем субмикронной ультрафиолетовой литографии | |
| | Техническое примечание.Вычислительная литография - использование компьютерного моделирования для прогнозирования, корректировки, оптимизации и подтверждения качества формирования изображений литографического процесса с использованием различных шаблонов, процессов и состояний системы | |
3.4.4. | Программное обеспечение, специально разработанное для разработки оборудования (систем) , определенного в пункте 3.1.3 | |
3.4.5. | Программное обеспечение, специально разработанное для восстановления нормальной работы микроЭВМ, микросхем микропроцессора или микроЭВМ в течение1 мс после воздействия на них электромагнитными импульсами или электростатическими разрядами без прекращения выполняемых операций | |
3.4.6. | Программное обеспечение электронных систем автоматизированного проектирования, специально разработанное для разработки интегральных схем с любым видом транзисторной геометрии, имеющим технологию полевого транзистора с круговым затвором, и имеющее любое из следующего: а) специально разработанное для внедрения уровня регистровых передачв геометрическую базу данных стандарта II; или б) специально разработанное для оптимизации правил питания или синхронизации | |
| | Технические примечания. 1. Электронные системы автоматизированного проектирования - это категория программных продуктов, используемых для разработки, анализа, оптимизации и проверки работоспособности интегральной схемы или печатной платы. 2. Уровень регистровых передач - это проектная абстракция, моделирующая синхронную цифровую схему, исходяиз потока цифровых сигналов между аппаратными регистрами и логическими операциями, выполняемыми по этим сигналам. 3. Геометрическая база данных стандарта II - это формат файла базы данных, который де-факто является отраслевым стандартом обмена данными интегральной схемы или макета интегральной схемы | |
(Дополнение пунктом - Постановление Правительства Российской Федерации от 26.01.2023 № 105) |
3.5. | Технология | |
3.5.1. | Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием к настоящему списку для разработки или производства оборудования, определенного в пункте 3.1 или 3.2, или материалов, определенных в пункте 3.3 | |
| | Примечание.Пункт 3.5.1 не применяется:а) к технологиям для оборудования (систем) или компонентов, определенных в пункте 3.1.3;б) к технологиям для интегральных схем, определенных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.10 и имеющих все следующее:использующих технологии при разрешении 0, 130 мкм или выше (хуже) ; исодержащих многослойные структуры с тремя металлическими слоями или менее;в) к инструментарию по технологической подготовке производства до тех пор, пока он не включает в себя библиотеки, выполняющие функции или включающие технологии для изделий, определенных в пункте 3.1.1 | |
| Техническое примечание.К инструментарию по технологической подготовке производства относится пакет программного обеспечения, предоставленный производителем полупроводников, предназначенный для гарантирования того, что приняты во внимание требуемые практики и правила для успешного производства интегральных схем определенного дизайна в определенном полупроводниковом процессе в соответствии с технологическими и производственными ограничениями (каждый процесс производства полупроводников имеет свой собственный инструментарий по технологической подготовке производства) | |
3.5.2. | Технологии в соответствии с общим технологическим примечанием к настоящему списку другие по сравнению с теми, которые определены в пункте 3.5.1, для разработки или производства ядра микросхем микропроцессора, микроЭВМ или микроконтроллера, имеющих арифметико-логическое устройство с длиной выборки 32 бит или более и любые из нижеприведенных особенностей или характеристик: | |
| а) блок векторного процессора, предназначенный для выполнения более двух вычислений с векторами для операций с плавающей запятой (одномерными 32-разрядными или более массивами) одновременно |
| Техническое примечание.Блок векторного процессора является процессорным элементом со встроенными операторами, которые выполняют многочисленные вычисления с векторами для операций с плавающей запятой (одномерными 32-разрядными или более массивами) одновременно, имеющим, по крайней мере, одно векторное арифметико-логическое устройство и векторные регистры с числом элементов не менее 32 в каждом; |
| б) разработанных для выполнения более четырех 64-разрядных или более операций с плавающей запятой, проходящих за цикл; или |
| в) разработанных для выполнения более восьми 16-разрядных операций умножения с накоплением с фиксированной запятой, проходящих за цикл (например, цифровая обработка аналоговой информации, которая была предварительно преобразована в цифровую форму, также известная как цифровая обработка сигналов) |
| Технические примечания:1. Для целей подпунктов "а" и "б" пункта 3.5.2 плавающая запятая определяется в соответствии со стандартом IEEE-754. |
| 2. Для целей подпункта "в" пункта 3.5.2 фиксированная запятая относится к моноширинному действительному числу одновременно с целым и дробным числами и не включает в себя исключительно целые числа |
| | Примечания: | |
| 1. Пункт 3.5.2 не применяется к технологиям мультимедийных расширений. |
| 2. Пункт 3.5.2 не применяется к технологиям ядер микропроцессоров, имеющих все следующее:использующих технологии с разрешением0, 130 мкм или выше (хуже) ; исодержащих многослойные структуры с пятью или менее металлическими слоями. |
| 3. Пункт 3.5.2 включает технологии для разработки или производства процессоров цифровой обработки сигналов и цифровых матричных процессоров |
3.5.3. | Прочие технологии разработки или производства: | |
| а) вакуумных микроэлектронных приборов; |
| б) полупроводниковых электронных приборов на гетероструктурах, таких как транзисторы с высокой подвижностью электронов, биполярных транзисторов на гетероструктуре, приборов с квантовыми ямами или приборов на сверхрешетках |
| Примечание.Подпункт "б" пункта 3.5.3 не применяется к технологиям для транзисторов с высокой подвижностью электронов (ТВПЭ) , работающих на частотах ниже 31, 8 ГГц, и биполярных транзисторов на гетероструктуре (ГБТ) , работающих на частотах ниже 31, 8 ГГц; |
| в) сверхпроводящих электронных приборов; |
| г) подложек из алмаза для электронных компонентов; |
| д) подложек из структур кремния на диэлектрике (КНД-структур) для интегральных схем, в которых диэлектриком является диоксид кремния; |
| е) подложек из карбида кремния для электронных компонентов; |
| ж) электронных вакуумных ламп, работающих на частотах 31, 8 ГГц или выше; |
| з) подложек из оксида галлия для электронных компонентов |
(Пункт в редакции Постановления Правительства Российской Федерации от 26.01.2023 № 105) |
3.5.4. | Технологии, требуемые для резки, шлифовки и полировки кремниевых пластин диаметром300 мм в целях достижения вычисленного методом наименьших квадратов расстояния от передней поверхности контактной площадки в 20 нм или менее для любой контактной площадки размером 26 мм x 8 мм на передней поверхности пластины и отклонения краев 2 мм или менее | |
| Техническое примечание.Для целей пункта 3.5.4 расстояние от передней поверхности контактной площадки, вычисленное методом наименьших квадратов, - расстояние максимального и минимального отклонения от передней эталонной плоскости, вычисленное методом наименьших квадратов со всеми данными о передней поверхности, включая границы площадки в пределах контактной площадки | |
Категория 4. Вычислительная техника |
| Примечания: | |
| 1. ЭВМ, сопутствующее оборудование и программное обеспечение, задействованные в телекоммуникациях или локальных вычислительных сетях, должны быть также проанализированы на соответствие характеристикам, указанным в части 1 категории 5 (Телекоммуникации) . |
| 2. Устройства управления, которые непосредственно связывают шины или каналы центральных процессоров, устройства оперативной памяти или дисковые контроллеры, не рассматриваются кактелекоммуникационное оборудование, описанное в части 1 категории 5 (Телекоммуникации) |
| Особое примечание.Для определения контрольного статуса программного обеспечения, специально разработанного для коммутации пакетов, следует применять пункт 5.4.1 |
| | Техническое примечание.Оперативная память - основное место хранения данных или инструкций для быстрого доступа из центрального процессора. Состоит из внутренней памяти цифрового компьютера и любых иерархических расширений, таких как кэш-память или расширенная память параллельного доступа | |
4.1. | Системы, оборудование и компоненты | |
4.1.1. | ЭВМ и сопутствующее оборудование, специально разработанные, чтобы отвечать любому из нижеприведенных условий, а также электронные сборки и специально разработанные компоненты для них: | 8471 |
| а) быть определенными изготовителем для работы при температуре внешней среды ниже 228 К (-45°C) или выше 358 К (85°C) ; или |
| Примечание.Подпункт "а" пункта 4.1.1 не применяется к ЭВМ, специально разработанным для гражданских автомобилей, железнодорожных поездов или гражданских летательных аппаратов |
| б) быть радиационно стойкими при превышении любого из определенных ниже требований: |
| 1) общей дозы 5 x 103 Гр (по кремнию) [5 x 105 рад]; |
| 2) мощности дозы 5 x 106 Гр (по кремнию) /с[5 x 108 рад/с]; или 3) сбоя от однократного события 10-8 ошибок/бит/день |
| Примечание.Подпункт "б" пункта 4.1.1 не применяется к ЭВМ, специально разработанным для гражданских летательных аппаратов |
| Особое примечание.В отношении ЭВМ и сопутствующего оборудования, соответствующих требованиям подпункта "б" пункта 4.1.1, см. также пункт 4.1.1 раздела 2 | |
4.1.2. | Цифровые ЭВМ, электронные сборки и сопутствующее оборудование, определенные ниже, а также специально разработанные для них компоненты: | |
| | Примечания: | |
| 1. Пункт 4.1.2 включает: |
| а) векторные процессоры; |
| б) матричные процессоры; |
| в) процессоры цифровой обработки сигналов; |
| г) логические процессоры; |
| д) оборудование для улучшения качества изображения. |
| 2. Контрольный статус цифровых ЭВМ или сопутствующего оборудования, описанных в пункте 4.1.2, определяется контрольным статусом другого оборудования или других систем в том случае, если: |
| а) цифровые ЭВМ или сопутствующее оборудование необходимы для работы другого оборудования или других систем; |
| б) цифровые ЭВМ или сопутствующее оборудование не являются основным элементом другого оборудования или других систем; и |
| Особые примечания: |
| 1. Контрольный статус оборудования обработки сигналов или улучшения качества изображения, специально разработанного для другого оборудования с функциями, ограниченными функциональным назначением другого оборудования, определяется контрольным статусом такого оборудования, даже если первое превосходит критерий основного элемента. |
| 2. Для определения контрольного статуса цифровых ЭВМ или сопутствующего оборудования для телекоммуникационной аппаратуры см. часть 1 категории 5 (Телекоммуникации) |
| в) технология цифровых ЭВМ и сопутствующего оборудования подпадает под действие пункта 4.5 |
4.1.2.1. | Цифровые ЭВМ, имеющие приведенную пиковую производительность (ППП) , превышающую 70 взвешенных ТераФЛОПС (ВТ) ; | 8471 60;8471 70;8471 80 000 0;8471 90 000 0 |
(Пункт в редакции Постановления Правительства Российской Федерации от 26.01.2023 № 105) |
4.1.2.2. | Электронные сборки, специально разработанные или модифицированные для повышения производительности путем объединения процессоров таким образом, чтобы ППП объединенных сборок превышала пороговое значение, определенное в пункте 4.1.2.1 Примечания: 1. Пункт 4.1.2.2 применяется только к электронным сборкам и программируемым взаимосвязям, не превышающим пределы, определенные в пункте 4.1.2.1, при поставке в виде необъединенных электронных сборок.2. Пункт 4.1.2.2 не применяется к электронным сборкам, специально разработанным для отдельных изделий или целого семейства изделий, максимальная конфигурация которых не превышает пределы, определенные в пункте 4.1.2.1 Особое примечание. Для электронных сборок, модулей или аппаратуры, выполняющих аналого-цифровые преобразования, см. пункт 3.1.2.7; | 8471 60;8471 70;8471 80 000 0;8471 90 000 0 |
(Пункт в редакции Постановления Правительства Российской Федерации от 26.01.2023 № 105) |
4.1.2.3. | Устройства, специально разработанные для получения общей производительности цифровых ЭВМ, объединенных с помощью внешних соединений, которые имеют однонаправленную скорость передачи данных, превышающую 2, 0 Гбайт/с на канал Примечание. Пункт 4.1.2.3 не применяется к внутренним (например, соединительные платы, шины) или пассивным устройствам связи, контроллерам доступа к сети или контроллерам каналов связи | 8471 90 000 0;8517 61 000 1;8517 62 000 |
(Пункт в редакции Постановления Правительства Российской Федерации от 26.01.2023 № 105) |
4.1.3. | ЭВМ, определенные ниже, и специально разработанные сопутствующее оборудование, электронные сборки и компоненты для них: | |
4.1.3.1. | ЭВМ с систолической матрицей; | 8471 |
4.1.3.2. | Нейронные ЭВМ; | 8471 |
4.1.3.3. | Оптические ЭВМ | 8471 |
| | Технические примечания:1. ЭВМ с систолической матрицей - компьютер, в котором поток данных и их преобразование могут контролироваться динамически на уровне логической схемы пользователя.2. Нейронная ЭВМ - вычислительное устройство, разработанное или модифицированное для имитации поведения нейрона или совокупности нейронов, например вычислительное устройство, характеризуемое способностью аппаратуры модулировать вес и количество взаимных связей множества вычислительных компонентов на основе предыдущей информации.3. Оптическая ЭВМ - аппаратура, спроектированная или модифицированная в целях использования оптического излучения для представления данных, вычислительные логические элементы которой основаны на непосредственно связанных между собой оптических устройствах | |
4.1.4. | Системы, оборудование и компоненты, специально разработанные или модифицированные для создания, функционирования или внедрения |