м характеристикам:частота выше 31, 8 ГГц, но не превышает43, 5 ГГц; идиапазон распределен Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения;
3.1.1.2.2. | Монолитные микроволновые интегральные схемы (ММИС) - усилители мощности, имеющие любую из следующих характеристик: | 8542 31 300 0;8542 31 901 0;8542 32 300 0;8542 33 300 0;8542 33 900 0;8542 39 300 0;8542 39 901 0;8543 90 000 0 |
| Особое примечание. |
| ММИС - усилители мощности, имеющие интегрированные фазовращатели, должны оцениваться в соответствиис пунктом 3.1.1.2.11 |
| а) определенные изготовителем для работы на частотах от более 2, 7 ГГц до 6, 8 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 15 процентов и имеющие любое из следующего:пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 75 Вт (48, 75 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 2, 7 ГГц до 2, 9 ГГц включительно;пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 55 Вт (47, 4 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 2, 9 ГГц до 3, 2 ГГц включительно;пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 40 Вт (46 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 3, 2 ГГц до 3, 7 ГГц включительно; илипиковую выходную мощность в режиме насыщения более 20 Вт (43 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 3, 6 ГГц до 6, 8 ГГц включительно; |
| б) определенные изготовителем для работы на частотах от более 6, 8 ГГц до 16 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10 процентов и имеющие любое из следующего:пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 10 Вт (40 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 6, 8 ГГц до 8, 5 ГГц включительно; илипиковую выходную мощность в режиме насыщения более 5 Вт (37 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 8, 5 ГГц до 16 ГГц включительно; |
| в) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 3 Вт (34, 77 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 16 ГГц до 31, 8 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10 процентов; |
| г) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 0, 1 нВт (-70 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 31, 8 ГГц до 37 ГГц включительно; |
| д) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 37 ГГц до 43, 5 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10 процентов; |
| е) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 31, 62 мВт (15 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) для работы на любой частоте от более 43, 5 ГГц до 75 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10 процентов; |
| ж) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 10 мВт (10 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 75 ГГц до 90 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 5 процентов; или |
| з) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 0, 1 нВт (-70 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте выше 90 ГГц |
| | Примечания: | |
| 1. Контрольный статус ММИС, номинальные рабочие частоты которых относятся к более чем одной полосе частот, указаннойв подпунктах "а" - "з" пункта 3.1.1.2.2, определяется наименьшим контрольным порогом пиковой выходной мощности в режиме насыщения. |
| 2. Пункты 1 и 2 примечаний к пункту 3.1 подразумевают, что пункт 3.1.1.2.2 не применяется к ММИС, если они специально разработаны для применения, например, в телекоммуникациях, радиолокационных станциях, автомобилях; |
3.1.1.2.3. | Дискретные микроволновые транзисторы, имеющие любую из следующих характеристик: | 8541 21 000 0;8541 29 000 0 |
| а) определенные изготовителем для работы на частотах от более 2, 7 ГГц до 6, 8 ГГц включительно и имеющие любое из следующего:пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 400 Вт (56 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 2, 7 ГГц до 2, 9 ГГц включительно;пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 205 Вт (53, 12 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 2, 9 ГГц до 3, 2 ГГц включительно;пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 115 Вт (50, 61 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 3, 2 ГГц до 3, 7 ГГц включительно; илипиковую выходную мощность в режиме насыщения более 60 Вт (47, 78 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 3, 7 ГГц до 6, 8 ГГц включительно; |
| б) определенные изготовителем для работы на частотах от более 6, 8 ГГц до 31, 8 ГГц включительно и имеющие любое из следующего:пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 50 Вт (47 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 6, 8 ГГц до 8, 5 ГГц включительно;пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 15 Вт (41, 76 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 8, 5 ГГц до 12 ГГц включительно;пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 40 Вт (46 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 12 ГГц до 16 ГГц включительно; илипиковую выходную мощность в режиме насыщения более 7 Вт (38, 45 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 16 ГГц до 31, 8 ГГц включительно; |
| в) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 0, 5 Вт (27 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 31, 8 ГГц до 37 ГГц включительно; |
| г) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 37 ГГц до 43, 5 ГГц включительно; |
| д) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 0, 1 нВт (-70 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте выше 43, 5 ГГц; или |
| е) отличные от указанных в подпунктах "а" - "д" настоящего пункта и определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 5 Вт(37 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 8, 5 ГГц до 31, 8 ГГц включительно |
| | Примечания:1. Контрольный статус транзисторов, определенных в подпунктах "а" - "д" пункта 3.1.1.2.3, номинальные рабочие частоты которых относятся к более чем одной полосе частот, приведенных в указанных подпунктах, определяется наименьшим контрольным порогом пиковой выходной мощности в режиме насыщения. | |
| 2. Пункт 3.1.1.2.3 включает как бескорпусные транзисторы, транзисторные сборки и модули, так и корпусные транзисторы. Некоторые дискретные транзисторы могут также называться усилителями мощности, но контрольный статус таких дискретных транзисторов определяется пунктом 3.1.1.2.3 |
| Особое примечание.В отношении монолитных микроволновых интегральных схем (ММИС) - усилителей мощности и дискретных сверхвысокочастотных транзисторов, определенных в пунктах 3.1.1.2.2 и 3.1.1.2.3, см. также пункты 3.1.2 и 3.1.3 раздела 2; | |
3.1.1.2.4. | Микроволновые твердотельные усилители и микроволновые сборки/модули, содержащие такие усилители, имеющие любую из следующих характеристик: | 8541 51 000 0 |
| а) определенные изготовителем для работы на частотах от более 2, 7 ГГц до 6, 8 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 15 процентов и имеющие все следующее:пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 500 Вт (57 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 2, 7 ГГц до 2, 9 ГГц включительно;пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 270 Вт (54, 3 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 2, 9 ГГц до 3, 2 ГГц включительно;пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 200 Вт (53 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 3, 2 ГГц до 3, 7 ГГц включительно; илипиковую выходную мощность в режиме насыщения более 90 Вт (49, 54 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 3, 7 ГГц до 6, 8 ГГц включительно; |
| б) определенные изготовителем для работы на частотах от более 6, 8 ГГц до 31, 8 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10 процентов и имеющие все следующее:пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 70 Вт (48, 45 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 6, 8 ГГц до 8, 5 ГГц включительно;пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 50 Вт (47 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 8, 5 ГГц до 12 ГГц включительно;пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 30 Вт (44, 77 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 12 ГГц до 16 ГГц включительно; илипиковую выходную мощность в режиме насыщения более 20 Вт (43 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 16 ГГц до 31, 8 ГГц включительно; |
| в) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 0, 5 Вт (27 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 31, 8 ГГц до 37 ГГц включительно; |
| г) определенные изготовителем для работы с пиковой выходной мощностью в режиме насыщения более 2 Вт (33 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 37 ГГц до 43, 5 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10 процентов; |
| д) определенные изготовителем для работы на частотах выше 43, 5 ГГц и имеющие любое из следующего:пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 0, 2 Вт (23 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 43, 5 ГГц до 75 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 10 процентов;пиковую выходную мощность в режиме насыщения более 20 Вт (13 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте от более 75 ГГц до 90 ГГц включительно при относительной ширине полосы частот более 5 процентов; илипиковую выходную мощность в режиме насыщения более 0, 1 нВт (-70 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) на любой частоте выше 90 ГГц; |
| | Особые примечания: | |
| 1. Для оценки ММИС - усилителей мощности должны применяться критерии, определенные в пункте 3.1.1.2.2. |
| 2. Для оценки приемо-передающего модуля должны применяться критерии, определенные в пункте 3.1.1.2.11. |
| 3. В отношении преобразователей и смесителей на гармониках, разработанных для расширения частотного диапазона аппаратуры, см. пункт 3.1.1.2.6 |
| Примечание.Контрольный статус устройств, номинальные рабочие частоты которых относятся к более чем одной полосе частот, которые указаны в подпунктах "а" - "д" пункта 3.1.1.2.4, определяется наименьшим контрольным порогом пиковой выходной мощности в режиме насыщения; | |
(Пункт в редакции Постановления Правительства Российской Федерации от 26.01.2023 № 105) |
3.1.1.2.5. | Полосовые или заградительные фильтры с электронной или магнитной перестройкой, содержащие более пяти настраиваемых резонаторов, обеспечивающих настройку в полосе частот с соотношением максимальной и минимальной частот 1, 5: 1 (fmax/fmin) менее чем за 10 мкс, и имеющие любую из следующих характеристик: | 8541 59 000 0 |
| а) полосу пропускания частоты более 0, 5 процента от резонансной частоты; или |
| б) полосу подавления частоты менее 0, 5 процента от резонансной частоты; |
3.1.1.2.6. | Преобразователи и смесители на гармониках, удовлетворяющие любому из следующих условий:а) разработанные для расширения верхнего предела частотного диапазона анализаторов сигнала до уровня выше 90 ГГц;б) разработанные для расширения следующих рабочих характеристик генераторов сигнала:верхнего предела частотного диапазона до уровня выше 90 ГГц;выходной мощности до уровня более 100 мВт (20 дБ, отсчитываемых относительно уровня1 мВт) на любом участке частотного диапазона от более 43, 5 ГГц до менее 90 ГГц;в) разработанные для расширения рабочих характеристик схемных анализаторов (анализаторов цепей) :верхнего предела частотного диапазона до уровня выше 110 ГГц;выходной мощности до уровня более 31, 62 мВт (15 дБ, отсчитываемых относительно уровня1 мВт) на любом участке частотного диапазона от более 43, 5 ГГц до менее 90 ГГц;выходной мощности до уровня более 1 мВт(0 дБ, отсчитываемых относительно уровня1 мВт) на любом участке частотного диапазона от более 90 ГГц до менее 110 ГГц; илиг) разработанные для расширения верхнего предела частотного диапазона микроволновых приемников-тестеров до уровня выше 110 ГГц; | 8542 31 300 0;8542 32 300 0;8542 33 300 0;8542 39 300 0;8541 59 000 0 |
3.1.1.2.7. | Микроволновые усилители мощности СВЧ-диапазона, содержащие вакуумные электронные устройства, определенные в пункте 3.1.1.2.1, и имеющие все следующие характеристики: | 8541 59 000 0 |
| а) рабочие частоты выше 3 ГГц; |
| б) среднюю выходную мощность по отношению к массе, превышающую 80 Вт/кг; и |
| в) объем менее 400 см3 |
| Примечание.Пункт 3.1.1.2.7 не применяется к аппаратуре, разработанной или определенной изготовителем для работы в любом диапазоне частот, распределенном Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения; | |
3.1.1.2.8. | Мощные СВЧ-модули, содержащие, по крайней мере, вакуумное электронное устройство бегущей волны, монолитную микроволновую интегральную схему и встроенный электронный стабилизатор напряжения, имеющие все следующие характеристики: | 8540 79 000 9;8542 31 300 0;8542 32 300 0;8542 33 300 0;8542 39 300 0;8541 59 000 08543 90 000 0 |
| а) время включения от выключенного состояния до полностью эксплуатационного состояния менее 10 с; |
| б) физический объем ниже произведения максимальной номинальной мощности в ваттах на 10 см3/Вт; и |
| в) мгновенную ширину полосы частот более одной октавы (fmax > 2fmin) и любое из следующего:для частот, равных или ниже 18 ГГц, радиочастотную выходную мощность более100 Вт; иличастоту выше 18 ГГц |
| Технические примечания: | |
| 1. Для подпункта "а" пункта 3.1.1.2.8 время включения относится к периоду времени от полностью выключенного состояния до полностью эксплуатационного состояния, то есть оно включает время готовности мощного СВЧ-модуля. |
| 2. Для подпункта "б" пункта 3.1.1.2.8 приводится следующий пример расчета физического объема мощного СВЧ-модуля.Для максимальной номинальной мощности20 Вт физический объем определяется как20 [Вт] x 10 [см3/Вт] = 200 [см3]. Это значение физического объема является контрольным показателем и сравнивается с фактическим физическим объемом мощного СВЧ-модуля; |
3.1.1.2.9. | Генераторы или генераторные сборки, определенные для работы с фазовым шумом одной боковой полосы (ОБП) в единицах(дБ по шкале C шумомера) /Гц меньше (лучше) -(126 + 20 log10F - 20 log10f) в любом месте диапазона 10 Гц  F  10 кГц | 8542 31 300 0;8542 32 300 0;8542 33 300 0;8542 39 300 0;8543 20 000 0 |
| Техническое примечание.В пункте 3.1.1.2.9: F - отстройка от рабочей частоты в Гц, а f - рабочая частота в МГц; | |
3.1.1.2.10. | Электронные сборки синтезаторов частот, имеющие время переключения частоты, определенное любым из следующего: | 8542 31 300 0;8542 32 300 0;8542 33 300 0;8542 39 300 0;8543 20 000 0 |
| а) менее 143 пс; |
| б) менее 100 мкс для любого изменения частоты, превышающего 2, 2 ГГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше4, 8 ГГц, но не превышающего 31, 8 ГГц; |
| в) менее 500 мкс для любого изменения частоты, превышающего 550 МГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше31, 8 ГГц, но не превышающего 37 ГГц; |
| г) менее 100 мкс для любого изменения частоты, превышающего 2, 2 ГГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше37 ГГц, но не превышающего 75 ГГц; или |
| д) менее 100 мкс для любого изменения частоты, превышающего 5 ГГц, в пределах диапазона синтезированных частот выше 75 ГГц, но не превышающего 90 ГГц; или |
| е) менее 1 мс в пределах диапазона синтезированных частот выше 90 ГГц |
(Пункт в редакции Постановления Правительства Российской Федерации от 26.01.2023 № 105) |
3.1.1.2.11. | Приемо-передающие модули, приемо-передающие монолитные микроволновые интегральные схемы, передающие модули и передающие монолитные микроволновые интегральные схемы, предназначенные для работы на частотах выше 2, 7 ГГц и имеющие все следующие характеристики: | 8542 31 300 0;8542 31 901 0;8542 32 300 0;8542 33 300 0;8542 33 900 0;8542 39 300 0;8542 39 901 0;8543 90 000 0 |
| а) пиковую выходную мощность в режиме насыщения (Вт) , Psat, большую, чем результат деления величины 505, 62 на максимальную рабочую частоту (ГГц) в квадрате, то есть: Psat > 505, 62 Вт x ГГц2/fГГц2 для любого канала; |
| б) относительную ширину полосы частот 5 процентов или более для любого канала; |
в) планарный корпус (корпус микросхем, предназначенных для монтажа на поверхность) с длиной d (в см) , равной результату (или меньшей, чем результат) деления величины 15 на наименьшую рабочую частоту (ГГц) , то есть:d  15 см x ГГц x N/fГГц, где N - количество передающих или приемо-передающих каналов; и |
| г) фазовращатель с электронной регулировкой на канал; |
| | Технические примечания: | |
| 1. Приемо-передающий модуль является многофункциональной электронной сборкой, обеспечивающей двунаправленную амплитуду и фазовое управление для передачи и приема сигналов. |
| 2. Передающий модуль является электронной сборкой, обеспечивающей амплитуду и фазовое управление для передачи сигналов. |
| 3. Приемо-передающая монолитная микроволновая интегральная схема является многофункциональной монолитной микроволновой интегральной схемой, обеспечивающей двунаправленную амплитуду и фазовое управление для передачи и приема сигналов. |
| 4. Передающая монолитная микроволновая интегральная схема является монолитной микроволновой интегральной схемой, обеспечивающей амплитуду и фазовое управление для передачи сигналов. |
| 5. Значение 2, 7 ГГц должно использоваться как наименьшая рабочая частота (fГГц) в формуле, определенной в подпункте "в" пункта 3.1.1.2.11, для приемо-передающих или передающих модулей, которые имеют заявленный рабочий диапазон, увеличивающий нисхождениедо 2, 7 ГГц и ниже, то есть: |