ценки перспективности исследований и разработок, проводимых в рамках межведомственной целевой программы "Развитие инфракрасной техники на 2002 - 2006 годы", создание информационно-аналитической базы данных, имеющихся в данной области разработок
58.
Разработка и освоение технологии мелкоструктурных МКП с повышенной информативностью для ЭОПов четвертого поколения, предназначенных для перспективной техники ночного видения
0, 80, 4
1 0, 5
1, 40, 7
1, 40, 7
1, 80, 9
разработка МКП с повышенной информативностью свыше 80 штр/мм, улучшенными пороговыми характеристиками (фактор шума - не более 1, 5) , долговечностью более 5 тыс. ч., термостойкостью более 550°С
59.
Разработка базовой технологии производства полупроводниковых индикаторов нового поколения в широкой видимой области спектра на основе антистоксовых люминофоров
1 0, 5
1 0, 5
-
-
-
создание нового поколения высокоэффективных индикаторов мирового уровня расширенного диапазона свечения для широкого применения в народнохозяйственной и специальной аппаратуре
60.
Разработка новых технологий фотоники и оптоэлектроники на полупроводниковых гетероструктурах
9 4, 5
9 4, 5
-
-
-
разработка принципиально новых систем фотонной обработки информации с производительностью, многократно превышающей предельную производительность электронных информационно-обрабатывающих систем (в том числе разработка технологии выращивания функциональных полупроводниковых гетероструктур, диагностика и сертификация функциональных параметров, создание образцов систем) ; создание на основе полупроводниковых гетероструктур новых типов оптоэлектронных компонентов
61.
Разработка охлаждаемых полупроводниковых структур и устройств на их основе, технологий производства крупноформатных матричных фотоприемных комплексов на основе фотодиодов из теллурида кадмия-ртути, двухцветных матричных фотоприемников на гетероструктурах с квантовыми ямами ИК-диапазона спектра (3...5 и 8...12 мкм) . Разработка базовой системы автоматизированного проектирования охлаждаемых матричных фотоприемных устройств
10, 85, 4
12, 86, 4
8, 64, 3
126
126
создание светочувствительных многоэлементных структур, охлаждаемых фотоприемных устройств, в том числе двухцветных субматричных фотоприемников; создание базовой системы автоматизированного проектирования охлаждаемых матричных фотоприемных устройств
62.
Разработка гетероэпитаксиальных структур фоточувствительных слоев полноформатной ИК-матрицы и производственно- технологического базиса создания фотоприемных устройств с использованием современных кремниевых мультиплексоров
1 0, 5
1 0, 5
1, 80, 9
1, 80, 9
21
организация серийного производства типового ряда тепловизионной техники двойного назначения в спектральной области 3...5 мкм с чувствительностью на уровне лучших зарубежных аналогов (не более 5 х 107 Вт/см2)
63.
Разработка МОС-гидридных эпитаксиальных полупроводниковых гетероструктур
-
1, 40, 7
-
-
-
развитие МОС-гидридной эпитаксии позволит наладить выпуск высококачественных гетероструктур на соединениях InGaAlAs(P) с толщинами квантовых ям до 10 А и планарной однородностью электро-физических и оптических характеристик на уровне 1% для производства на их основе квантово-каскадных лазеров среднего ИК-диапазона, фотокатодов для электронно-оптических преобразователей
64.
Разработка протяженных активных элементов длиной до 120 мм из кристаллов KYW:Tm
-
0, 60, 3
-
-
-
создание активных элементов длиной 120 мм, генерирующих в диапазоне 1, 85 - 1, 95 мкм из кристаллов KYW:Tm в безопасном для глаз диапазоне
65.
Разработка нелинейно-оптического материала на основе монокристаллов (Cd-Hg) Ga2 (S-Se) 4
-
0, 60, 3
-
-
-
разработка нелинейно- оптического материала на основе монокристаллов (Cd-Hg) Ga2 (S-Se) 4 заданной концентрации с оптимизированными свойствами для конкретных заданных типов взаимодействия с целью разработки генераторов суммарной частоты и параметрических преобразователей частоты
66.
Разработка мощных одиночных полупроводниковых лазеров (до 10 Вт) , лазерных линеек (50-150 Вт) и матриц (свыше 1 кВт) , работающих в непрерывном режиме
-
3, 81, 9
115, 5
-
-
создание мощных источников накачки лазерных кристаллов на диапазон длин волн 0, 78 - 1, 06 мкм с КПД ~50% м для систем специального назначения, а также для использования в промышленных технологических установках
67.
Создание мощного широкодиапазонного фемтосекундного лазерного излучателя на твердотельных активных средах с диодной накачкой
-
4, 62, 3
42
42
42
создание фемтосекундного лазерного излучателя с диодной накачкой, энергией в импульсе до 100 мДж при длительности 20 - 30 фс
68.
Создание твердотельных лазерных модулей с полупроводниковой накачкой непрерывного излучения мощностью до 10 Вт с длинами волн 0, 4-0, 7 мкм
-
1, 60, 8
4, 62, 3
5 2, 5
5, 22, 6
разработка высокоэффективных высокоресурсных многоцветных (видимого диапазона) лазерных модулей с полупроводниковой накачкой для информационных, технологических и медицинских целей, а также в интересах комплексов специального назначения
69.
Разработка и создание типового ряда непрерывных твердотельных лазеров с накачкой линейками лазерных диодов средней мощностью до 100 Вт
-
1, 60, 8
4, 62, 3
5 2, 5
5, 22, 6
создание модульной конструкции излучателя, позволяющей наращивать мощность от 10 до 100 Вт выходного излучения на осевом типе колебаний с дифракционной расходимостью КПД излучателя - более 50% от мощности накачки
70.
Разработка и создание базовой модели технологического лазерного излучателя средней мощностью 1 кВт на основе кристаллических активных сред с накачкой полупроводниковыми лазерами
-
2, 61, 3
7, 83, 9
3, 61, 8
3, 61, 8
создание экономичных мощных кристаллических источников лазерного излучения мощностью до 1 кВт с полупроводниковой накачкой для применения в различных технологиях
71.
Разработка микролазеров на основе активированных монокристаллических оптических волокон и пленочных структур
-
0, 60, 3
1, 80, 9
-
-
разработка микролазеров для диапазонов 1, 3 - 1, 5 мкм и 3.0 мкм с диодной накачкой с целью применения в медицине, технике и телекоммуникациях
72.
Создание ряда высокоэффективных непрерывных и импульсно-периодических газовых лазеров УФ-, видимого и ИК-диапазонов для использования в лазерных технологиях различного назначения. Разработка нормативной базы
-
-
115, 5
-
-
создание:
эксимерных лазеров ультрафиолетового диапазона спектра на длинах волн 157 нм, 193 нм, 248 нм и 308 нм с энергией в импульсе до 200 МДж для отжига и кристаллизации поверхностей полупроводниковых материалов; микроструктур, а также реализации новых методов лечения заболеваний в области кардиохирургии, дерматологии, офтальмологии и др.;
опытных образцов цельнометаллических компактных отпаянных СО2-лазеров с ресурсом не менее 10000 часов, в том числе волноводных лазеров с планарной геометрией с ВЧ разрядом с мощностью до 1 кВт для технологии и медицины и перестраиваемых лазеров с ВЧ разрядом с компьютерным управлением для спектроскопических применений, включая лидары (аналоги отсутствуют) ;
ряда щелевых отпаянных СО2-лазеров с уровнем выходной мощности от 0, 1 до 1, 5 кВт, ряда образцов лазеров на парах меди с уровнем выходной мощности от 10 до 100 Вт и технологии их изготовления, создание образцов лазерных технологических комплексов на основе щелевых СО2-лазеров и лазеров на парах меди; типового ряда СО2-лазеров с ВЧ-накачкой активной среды с мощностью 1, 5; 2, 5 и 5 кВт, ресурсом работы более 5000 часов, стабильностью излучения не менее 2% и расходимостью дифракционного качества
73.
Разработка перспективной элементной базы для лазерных локаторов дальнего действия
-
5, 82, 9
9, 24, 6
5 2, 5
5 2, 5
разработка базовых модулей, определяющих основные характеристики лазерных локаторов и информационных лазерных комплексов, в том числе:
3-координатных приемных модулей с чувствительностью до 3 х 10-17 Дж;
гибридных телевизионных приемных модулей с чувствительностью до 3 х 10-18 Дж на элемент;
быстродействующих сканирующих устройств с полосой пропускания не менее 1 кГц и апертурой 20 - 200 млм;
модулей усиления лазерного сигнала с энергией в импульсе 10-14 - 10-12 до значения 1 Дж на основе явления вынужденного рассеивания в нелинейных средах.
Внедрение создаваемых ключевых элементов в новые комплексы позволит в 5...10 раз уменьшить ошибки слежения комплексов за динамическими объектами, сократить время обзора контролируемого пространства, увеличить дальность наблюдения
74.
Разработка лазерных стереодатчиков для робототехнических комплексов, лазерных дальномеров
-
2, 21, 1
6, 43, 2
6, 63, 3
6, 63, 3
создание лазерных стереодатчиков с точностью измерения дальности 0, 1 - 0, 3% позволит на порядок сократить время измерительных операций в машиностроении, на транспортных магистралях, в медицине (например, при изготовлении ортопедических изделий) , обеспечить автоматизацию управления полетов летательных аппаратов на сверхмалых высотах и при посадке
75.
Разработка новых высокоэффективных оптических сред на основе кристаллов германия, двойных вольфраматов и боратов, алюминиевой шпинели, нелинейного кристалла КРТ, халькогенидных стекол и стекол на основе сульфидов цинка и свинца
-
1, 60, 8
4, 62, 3
5 2, 5
5, 22, 6
создание нового класса кристаллов для крупногабаритных оптических окон, проходной оптики, работающей в экстремальных условиях, для видимого и ИК-диапазонов и микролазеров с диодной накачкой
76.
Совершенствование технологии производства оптического волокна и оптоволоконных датчиков, в том числе активного волокна, волноводных планарных и канальных структур на различных материалах
8, 44, 2
8, 44, 2
3, 61, 8
-
-
создание промышленных образцов оптического волокна для линий связи со сверхнизкими потерями и оптических линий передачи информации; создание образцов датчиков физических величин для контроля производственных процессов в машиностроении, атомной энергетике, химической промышленности; разработка базовой технологии получения активного волокна, позволяющего усиливать оптические сигналы в магистральных линиях связи, что позволит увеличить расстояния между ретрансляторами до 200 км
77.
Разработка гаммы оптических волокон с повышенными оптическими и механическими характеристиками
-
-
-
-
-
создание двулучепреломляющего одномодового волокна с повышенной устойчивостью к изгибам и высокопрозрачного в УФ-области низкодисперсионного волокна для диагностики плазмы
78.
Разработка радиационностойких стекол с особыми оптическими и термооптическими свойствами для высокоразрешающих аэрокосмических фотографических объективов
-
-
4, 62, 3
-
-
разработка номенклатуры стекол, необходимой для создания космической оптики; расширение номенклатуры атермальных стекол для упрощения конструкции изделия, уменьшения требований по термостабилизации космического комплекса в целом
79.
Разработка особо чистых веществ для новых марок оптических стекол
-
2, 21, 1
-
6, 83, 4
7 3, 5
создание новых химических продуктов для получения оптических стекол с повышенными характеристиками
80.
Разработка образцов сравнения и лазерных отражателей с высокими эксплуатационными свойствами в УФ-, видимой и ИК-областях спектра на базе высокоотражающих диффузионных материалов
-
1, 20, 6
-
3, 61, 8
3, 61, 8
разработка и опытное производство образцов высокоэффективных отражателей для твердотельных лазеров видимого и ближнего ИК-диапазонов и элементной базы оптико-электронных приборов (интегрирующие сферы, ламбертовские ослабители, стандартные образцы сравнения и т. д.) ; повышение эффективности твердотельных лазеров, увеличение ресурса их работы, снижение себестоимости и возможность создания фотометрических и спектрофотометрических приборов нового поколения
-
1, 20, 6
-
-
-
82.
Создание фотолитографического объектива для тиражирования сверхбольших интегральных схем с элементами разрешения 0, 15-0, 18 мкм и стенда для его сборки, юстировки и испытаний
-
3, 21, 6
9, 64, 8
9, 84, 9
10, 65, 3
разработка объективов на основе отечественного флюорита для формирования изображения на длине волны 193 нм (эксимерный лазер)
83.
Разработка управляемых интерференционных тонкопленочных элементов на основе явления фазового перехода полупроводник-металл в тонких слоях оксида ванадия и их модификациях, полученных за счет интегрирования с другими родственными материалами
-
1, 20, 6
3, 61, 8
-
-
создание управляемых интерференционных покрытий и элементов на их основе, обеспечивающих исключение возможной взаимной диффузии и химических реакций между слоями и подложкой в условиях высоких температур и с глубоким подавлением мешающего излучения в видимой и ближней ИК-областях спектра
84.
Разработка новых оптических клеев для склеивания оптических элементов между собой и с элементами конструкций приборов назначения
-
1, 60, 8
4, 62, 3
-
-
восстановление производства оптических клеев, не уступающих зарубежным аналогам
85.
Разработка оптоэлектронных модулей с использованием методов Фурье-спектрометрии, в том числе многоканальных
-
1, 60, 8
-
5 2, 5
5, 22, 6
разработка средств контроля и мониторинга атмосферы земной и водной поверхности по выявлению выбросов опасных, в том числе отравляющих, газов в чрезвычайных ситуациях, утечек газопроводов, аномалий распределения природных газов и др.
86.
Разработка стенда метрологии функциональных характеристик элементов терагерцовой фотоники, спинтроники и ИК-оптоэлектроники на полупроводниковых гетероструктурах
-
1, 60, 8
-
5 2, 5
5, 22, 6
разработка методов и создание аппаратуры для измерения функциональных характеристик полупроводниковых гетероструктур и системного моделирования функций: (i) - параллельной оптической логики, (ii) - квантовой (фотонной) логики, (iii) - оперативной оптической памяти, основанной на оптической ориентации спинов, (iv) - чтения битовых и аналоговых (в т. ч. тепловых) изображений и (v) - квантовой голографической телепортации
87.
Разработка акустически управляемых оптоволоконных устройств, электро- и светоуправляемых жидкокристаллических устройств для недисплейных применений, а также голографических технологий создания нейроподобных систем
-
21
4, 62, 3
6, 43, 2
5, 22, 6
создание оптоволоконных устройств (модуляторов, перестраиваемых фильтров) с акустическим управлением параметрами пропускаемого через волокно света на основе пьезоэлектрических пленок ZnO со значительно уменьшенными оптическими потерями и увеличенными функциональными возможностями;
применение устройств в оборудовании связи, волоконных интерферометрах, гироскопах, для дальнометрии, нелинейной оптики и др.;
создание технологии и изготовление пространственно-временных модуляторов света на основе новых материалов, а также быстродействующих ЖК-модуляторов для использования в системах оптической обработки информации, в т. ч. для записи динамических голограмм
88.
Разработка многослойных оптических покрытий на оптические элементы из материалов, работающих в ИК-области спектра для нового поколения тепловизионных приборов и приборов ночного видения
-
1, 60, 8
4, 62, 3
5 2, 5
5, 22, 6
создание многослойных оптических покрытий деталей из германия, кремния, лейкосапфира, оптической керамики и др., работающих в ИК-области спектра
8. Радиокомпоненты и ЭВП
89.
Разработка типового ряда электровакуумных приборов, коммутационных и пассивных радиоэлектронных компонентов, необходимых для комплектации и модернизации серийно выпускаемых образцов ВВСТ, в том числе: импульсные, модуляторные, генераторные и приемоусилительные лампы; тиратроны; разрядники; фотоэлектронные умножители; электронно-лучевые трубки; магнитоуправляемые контакты
-
63
2010
20, 810, 4
21, 610, 8
создание перспективных электровакуумных приборов, коммутационных и пассивных радиоэлектронных компонентов, позволяющих провести модернизацию существующих