ых вакуумных СВЧ-приборов нового поколения с высокими эксплуатационными характеристиками и повышенной долговечностью для дальнейшего развития высокопотенциальных бортовых и наземных радиоэлектронных систем, а также миниатюрной аппаратуры миллиметрового диапазона
32.
Разработка технологии изготовления современных гетероструктур, широкозонных полупроводниковых соединений и новых диэлектрических материалов для приборов и МИС СВЧ-техники
9, 64, 8
126
10, 85, 4
-
-
технологии производства твердотельных микроэлектронных гетероструктур на основе арсенида галлия, нитрида галлия и карбида кремния на пластинах диаметром до 100 мм, обеспечивающих последующую размерную обработку менее 0, 1 мкм
33.
Разработка технологии и базовых конструкций установок нового поколения для автоматизированного измерения параметров нелинейных моделей СВЧ-полупроводниковых структур, мощных транзисторов и МИС СВЧ-диапазона
3, 41, 7
6, 23, 1
6, 43, 2
-
-
создание метрической аппаратуры нового поколения для исследований параметров полупроводниковых структур, активных элементов и МИС СВЧ в процессе изготовления и сдачи продукции с целью повышения процента выхода годных изделий, их долговечности и надежности при эксплуатации
34.
Разработка системы автоматизированного проектирования и библиотеки базовых конструкций перспективных ВЧ и СВЧ-приборов и интегральных схем, в том числе: генерации, обработки и передачи ВЧ- и СВЧ-сигналов в реальном масштабе времени; мощных монолитных СВЧ-микросхем на основе гетероструктур материалов А3В5; унифицированных приемо-передающих модулей; СВЧ-транзисторов широкого применения, в том числе малошумящих; унифицированных миниатюрных сверхширокополосных вакуумно-твердотельных мощных СВЧ-модулей
-
52, 626, 3
4120, 5
8341, 5
8643
проведение модернизации существующих электронных систем и обеспечение разработки систем 5-го поколения
341.
Разработка перспективных твердотельных и функциональных СВЧ-приборов, интегральных схем и гетероструктур на основе соединения кремния и германия, арсенида галлия и нитрида галлия, в том числе гибридных и монолитных интегральных СВЧ-микросхем нового поколения, многолучевых клистронов, перспективных магнитов Nd-Fe-B и магнитных систем систем для вакуумных и ферритовых приборов, а также программно-аппаратных комплексов для определения параметров мощных СВЧ-транзисторов
-
-
-
-
520260
создание СВЧ-приборов на основе сложных соединений кремния и германия, арсенида галлия и нитрида галлия, позволяющих уменьшить массогабаритные характеристики аппаратуры на 65 - 70 процентов и снизить ее энергопотребление на 30 - 40 процентов; повышение в 1, 5 - 2 раза важнейших функциональных характеристик радиоэлектронной аппаратуры современных радиоэлектронных комплексов, систем связи, телевидения и радиовещания; ежегодный прирост объемов продаж изделий на 10 - 15 процентов
5. Методология и технологии создания ЭКБ
35.
Разработка системы автоматизированного проектирования СБИС "система на кристалле" (с использованием СФ-блоков) , в том числе информационной среды автоматизированного проектирования СБИС "система на кристалле" и СФ-блоков
-
3417
20, 810, 4
2311, 5
22, 611, 3
создание средств ускоренного проектирования широкой номенклатуры СБИС "система в кристалле" (с использованием российских и иностранных СФ-блоков) ; разработка базы данных, содержащей библиотеки моделей для всех уровней проектирования, в том числе библиотеки СФ-блоков, обеспечивающих процесс сквозного проектирования СБИС специального и коммерческого применения
36.
Разработка библиотеки элементов по классам, правил проектирования СФ-блоков и электронной компонентной базы, ориентированных на перспективные технологии, в том числе иностранные
-
2311, 5
21, 610, 8
22, 411, 2
17, 68, 8
библиотека элементов по классам, правила проектирования, ориентированные на технологии "кремниевых мастерских" с учетом достигнутого зарубежного уровня
37.
Разработка системы автоматизированного проектирования, библиотек и базовых элементов микроэлектромеханических систем широкого применения на основе интегральных методов обработки кремния, в том числе: прецизионных акселерометров; датчиков угловых скоростей (микро-механических гироскопов) ; сверхпрецизионных (виброрезонансных) сенсоров измерения давления; микропереключателей каналов оптоволоконной связи; других микроэлектромеханических систем
-
-
168
-
-
современная электронная компонентная база для миниатюрных навигационных систем различного назначения: от перспективного высокоточного оружия и авиационно-космических аппаратов до систем управления автомобилями и катерами; методы проектирования микроэлектромеханических систем и библиотеки основных элементов
38.
Разработка комплектов специализированных СБИС "система на кристалле" 7 сложностью до 10 транзисторов на кристалле для: цифрового телевидения; цифрового радиовещания; цифровой технологической радиотелефонной связи; других систем
-
-
26, 613, 3
46, 423, 2
4623
СБИС "система на кристалле" по функциональной сложности и схемотехническим решениям будут соответствовать зарубежному уровню и обеспечат создание массовой малогабаритной аппаратуры на основе одной микросхемы, включающей блоки телекоммуникаций, компьютеров, навигации и др.; будет отработана методология "сквозного" автоматизированного проектирования СБИС "система на кристалле" на основе СФ-блоков и библиотек микро- и макроэлементов
39.
Разработка системы автоматизированного проектирования и библиотеки базовых конструкций перспективных акустоэлектронных устройств нового поколения, в том числе: изделий на ПАВ; устройств на объемных волнах; изделий на приповерхностных ПАВ
-
-
-
-
-
разработка высокоэффективных устройств на ПАВ, ППАВ, ОВ позволит создать современные системы точного оружия, связи, ПВО, радиочастотной идентификации
40.
Создание физических принципов, моделирование и разработка физико-технологических процессов, направленных на создание перспективной электронной компонентной базы
-
2412
2512, 5
2211
2110, 5
научно обоснованные рекомендации для дальнейшего развития электронной компонентной базы
41.
Разработка функционально полной номенклатуры электронной компонентной базы, необходимой для комплектации и модернизации серийно выпускаемых образцов ВВСТ
-
-
5025
4020
5427
обеспечение комплектации, ремонта и эксплуатации серийно выпускаемых и модернизируемых образцов ВВСТ современной электронной компонентной базой
6. Радиационно-стойкая электронная компонентная база
42.
Разработка библиотеки элементов и СФ-блоков радиационностойкой электронной компонентной базы на основе технологий кремний на изоляторе и кремний на сапфире, в том числе: процессоры (сигнальные и цифровые процессоры) ; микроконтроллеры; цифроаналоговые, аналого-цифровые преобразователи; шины и интерфейсы (драйверы, приемопередатчики и т. д.) ; логические схемы; экспертиза и мониторинг технических процессов по обеспечению радиационной стойкости электронной компонентной базы
-
25, 812, 9
28, 214, 1
5527, 5
42, 621, 3
создание электронных систем вооружения, военной и специальной техники, функционирующих в условиях воздействия радиационных факторов
421.
Создание базовых технологий проектирования, конструирования и производства нового поколения радиационно стойкой электронной компонентной базы на основе структур "кремний на изоляторе" и "кремний на сапфире" с минимальными размерами элементов 0, 5-0, 8 мкм и КМОП-технологией с минимальными размерами элементов 0, 35-0, 5 мкм
-
-
-
-
500250
создание базовых технологий проектирования, конструирования и производство ряда радиационно стойкой ЭКБ (микросхем памяти, микропроцессоров, процессоров обработки сигналов, цифро- аналоговых и аналого-цифровых БИС др.) со степенью интеграции 2 х 105 транзисторов на кристалле и сохранением параметров при воздействии ВВФ по группе стойкости 2У-3У, а также системы проектирования и производства СФ-блоков и СБИС "система на кристалле" со степенью интеграции 2 x 107 транзисторов на кристалле и сохранением параметров при воздействии ВВФ по группе стойкости 2У-3У
7. Компоненты оптоэлектронной, лазерной и инфракрасной техники
43.
Разработка базового фотоэлектронного модуля на основе инфракрасных смотрящих двухцветных многорядных матричных фотоприемных устройств (МФПУ) на базе фотодиодов из КРТ и антимонида индия с цифровой обработкой и повышенной информационной емкостью
-
3, 21, 6
9, 64, 8
9, 84, 9
9, 84, 9
создание матричных унифицированных фотоэлектронных модулей с повышенной информационной емкостью на базе фотодиодов из КРТ и антимонида индия, работающих в двух спектральных диапазонах. Применение многоспектральных фотоприемных модулей в тепловизионных и теплопеленгационных системах выведет последние по дальности и надежности обнаружения и захвата целей, а также помехозащищенности на качественно новый уровень
44.
Разработка базового фотоэлектронного модуля нового поколения для сканирующих тепловизионных систем, работающих в режиме ВЗН, с числом элементов накопления не менее 8
-
3, 21, 6
9, 64, 8
9, 84, 9
9, 84, 9
разработка базового унифицированного фотоэлектронного модуля формата не менее 8 х 288 элементов, предназначенного для комплектации тепловизионных приборов нового поколения, работающих в режиме ВЗН; увеличение числа рядов в МФПУ позволит улучшить фотоэлектрические параметры МФПУ, увеличить надежность за счет резервирования ФЧЭ, улучшить качество тепловизионных изображений
45.
Разработка ряда базовых фотоэлектронных модулей на основе охлаждаемых фотодиодных матриц из антимонида индия и микроболометров для диапазонов спектра 3...5 и 8...12 мкм формата 320 х 240, 384 х 288 элементов
1, 40, 7
4, 2
2, 1
10, 85, 4
73, 5
10, 65, 3
создание типоразмерного ряда охлаждаемых матричных ИК-приемников на основе фотодиодов и микроболометрических элементов, чувствительных в диапазоне 3...5 и 8...12 мкм формата 320 х 240, 384 х 288 элементов и более. Возможность выпуска тепловизионных систем гражданского и двойного применения
46.
Разработка МФПУ смотрящего типа на спектральный диапазон 3...5 мкм с покадровым накоплением фотосигналов и цифровым выводом информации
-
-
4, 62, 3
4, 62, 3
4, 82, 4
создание смотрящего МФПУ на основе КРТ формата 128 х 128 спектрального диапазона 3...5 мкм с совмещенным покадровым накоплением и цифровым выводом информации, предназначенного для комплектации тепловизионных приборов нового поколения; существенное уменьшение темновых и фоновых токов по сравнению с фотодиодами спектрального диапазона 8 - 12 мкм, переход к более длительному времени накопления по сравнению с построчным накоплением фотосигналов в диапазоне 8 - 12 мкм и повышение технических характеристик МФПУ
47.
Разработка унифицированных модулей аналоговой и цифровой обработки сигналов многорядных матричных фотоприемных устройств для тепловизионных каналов широкого применения
-
2, 6
1, 3
7, 83, 9
-
-
создание унифицированных модулей для обработки сигналов МФПУ формата 2 х 256, 4 х 288, 8 х 288 и др., обеспечивающих функции аналого-цифрового преобразования сигналов МФПУ, суммирование сигналов с задержкой для реализации режима ВЗН, цифровую обработку сигналов с проведением коррекции неоднородности чувствительности, формирование сигналов управления МФПУ и синхронизацию с системой сканирования, оптимизацию режима работы МФПУ при изменении условий эксплуатации, формирование видеосигнала для отображения на мониторе
48.
Разработка МОП - мультиплексора с интегрированием фототока в ячейке для двухцветных матричных ФПУ, чувствительных в диапазонах длин волн 3...5 и 8...14 мкм
-
-
4, 62, 3
4, 62, 3
4, 82, 4
создание МОП - мультиплексора формата 128 х 128 с интегрированием фототока в ячейке для матриц фотодиодов на основе материалов кадмий-ртуть-теллур и антимонида индия в обеспечение выпуска матричных двухцветных ФПУ нового поколения
49.
Разработка микросхем малошумящих операционных усилителей (ОУ) для обработки сигналов фотоприемных устройств различных спектральных диапазонов
-
1, 60, 8
4, 62, 3
5 2, 5
4, 82, 4
создание унифицированного ряда малошумящих операционных усилителей, предназначенных для обработки сигналов фотоприемников (ФП) с различным внутренним сопротивлением. Унифицированный ряд включает в себя двухканальный ОУ двух типов для обработки сигналов фотоприемников с низким и высоким внутренним сопротивлением
50.
Разработка спецалгоритмов и создание модулей цифровой обработки сигналов и изображений, получаемых в различных областях спектра с применением технологий нейросетей и методов локально-анизотропных признаков для решения задач обнаружения, распознавания и автосопровождения целей в реальном времени
-
2, 61, 3
-
84
8, 44, 2
разработка алгоритмов и модулей автоматического обнаружения, распознавания и сопровождения целей на основе информации, получаемой радио- и оптико-электронными каналами различного спектрального диапазона комплексированных систем; создание комплекта экспериментальных образцов модулей автоматического обнаружения, распознавания и сопровождения целей и проведение их испытаний
51.
Разработка жидкофазных и МОС-гидридных эпитаксиальных структур материала "кадмий-ртуть-теллур" для крупноформатных матричных фотоприемников на спектральные диапазоны 3...5 и 8...12 мкм
3 1, 5
6, 63, 3
13, 66, 8
-
-
разработка жидкофазных эпитаксиальных структур материала "кадмий-ртуть-теллур" с высоким уровнем параметров, пригодных для промышленного производства матричных ФПУ на спектральные диапазоны 3...5 и 8...12 мкм
52.
Разработка типоразмерного ряда микрокриогенных систем с повышенным ресурсом работы для охлаждения матричных фотоприемных устройств нового поколения
-
2, 61, 3
7, 83, 9
3, 21, 6
3, 21, 6
создание типоразмерного ряда микрокриогенных систем (МКС) , обеспечивающих температурный режим работы нового поколения матричных фотоприемных устройств различных форматов для спектральных диапазонов 3...5 и 8...12 мкм. Основные характеристики: холодопроизводительность - 0, 4...1, 2 Вт; тип МКС - интегральный, Сплит-Стирлинг; ресурс работы - не менее - 20000 час
53.
Разработка базовых модулей охлаждения на основе термоэлектрических охладителей, в том числе на основе явлений в квантовых ямах, для фотоприемников и фотоприемных устройств ИК-диапазона
-
0, 60, 3
-
1, 80, 9
21
создание базовых модулей охлаждения на основе термоэлектрических охладителей (ТЭО) для фотоприемников и фотоприемных устройств (МОФ) с улучшенными ТТХ, в том числе по энергопотреблению, весу и габаритам, конкурентоспособных на внешнем рынке (МОФ на основе термоэлектрических охладителей на базе Bi2 Te3, Sb2 Te3 и твердых растворов Bi - Те- Sе- Sb, в том числе с использованием новых квантоворазмерных явлений)
54.
Разработка ультрафиолетового ЭОП на основе фотокатодов с отрицательным электронным сродством
-
0, 80, 4
-
-
-
создание ЭОП на спектральный диапазон от 0, 2 мкм до 0, 4 мкм на основе принципиально нового фотокатода с отрицательным электронным сродством
55.
Разработка высокочувствительного фотоэлектрического инфракрасного модуля для лазерных систем круглосуточного видения
-
1, 40, 7
5, 22, 6
-
-
создание инфракрасного фотоэлектрического модуля на основе ЭОП с фотокатодом на структурах А3В5 с барьером Шоттки, чувствительного в спектральном диапазоне от 0, 9 мкм до 2, 0 мкм и работающего в активно-импульсном режиме совместно с импульсным лазером для электронных систем повышенной дальности действия, в том числе для обнаружения и распознавания воздушных объектов на дальностях свыше 30 км, а также для медицинской техники, дифференциальной диагностики в онкологии, маммографии, оптической томографии и др.
56.
Разработка высокоэффективных ЭОП на основе фотокатодов, чувствительных в спектральном диапазоне от 0, 9 мкм до 1, 65 мкм
-
-
-
3316, 5
3417
создание высокоэффективного инфракрасного ЭОП с квантовой эффективностью более 5% на длине волны лямбда = 1, 54 мкм для оптико-электронных систем с повышенной помехозащищенностью и обнаружительной способностью, дальность действия которых в ночных условиях на 60% больше, чем у аналогичных систем на основе ЭОП третьего поколения для создания принципиально нового класса приборных комплексов и систем двойного назначения
57.
Создание межотраслевой интегрированной базы данных по исследованиям и разработкам ИК-систем и приборов двойного назначения
-
1, 80, 9
5, 22, 6
5, 62, 8
5, 82, 9
разработка методологии оценки перспективности исследований и разработок, проводимых в рамках межведомственной целевой программы "Развитие инфракрасной техники на 2002 - 2006 годы", создание информационно-аналитической базы д