рименимо
конкуренцию на рынке силовых полупроводниковых приборов можно охарактеризовать как умеренную. Появление новых участников рынка ограничено высоким уровнем начальных инвестиций как в оборудование, так и в НИОКР. Кроме того, следует отметить низкий риск смены поставщиков в рамках отдельно взятого предприятия, поскольку испытания продукции новых производителей могут составлять до 1, 5 лет. Тенденции технологического развития отрасли задают современные силовые полупроводниковые приборы типа IGBT и SiC MOSFEET. В настоящий момент лишь несколько компаний в мире освоили технологию производства чипов силовой электроники, они же являются мировыми лидерами отрасли. В отечественной силовой электронике есть несколько компаний владеющей технологией производства биполярных приборов и IGBT транзисторов. При этом IGBT транзисторы производятся с использованием чипов зарубежного производства. Это ключевой момент, так как стоимость чипа, как правило определяет более 50 процентов конечной цены изделия. В тоже время лидеры отрасли, одновременно являются производителями самих чипов, силовых полупроводниковых приборов и преобразовательной техники. В совокупности вышеуказанные компании занимают более 50 процентов мирового рынка силовой электроники. Тем самым они формируют конструкторские и технологические решения, на которые ориентируются другие участники рынка. Освоение данной технологии производства в России позволило бы снизить зависимость отечественной электроники от иностранных производителей, овладеть новыми компетенциями, расширить номенклатуру производимых силовых полупроводников приборов. Освоение trench технологии производства силовых полупроводниковых приборов на основе кремния на пластинах 200 мм позволит в дальнейшем освоить серийное производство кристаллов силовых полупроводниковых приборов, с характеристиками значительно превышающими заявленные, а также освоить производство других типов силовых полупроводниковых приборов
1
37.
Технология производства мощных лазерных диодов ближнего инфрокрасного диапазона (900 - 1060 нм) на основе полупроводниковых гетероструктур
диоды лазерные (полупроводниковые лазеры)
26.11.22.130
технические характеристики: спектр излучения разрабатываемых лазерных модулей должен соответствовать длинам волн 915, 976, 980 и 1060 нм;мощность излучения для одномодовых лазерных диодов должна превышать 200 мВт, для многомодовых - 10 Вт
1 января 2025 г.
да
обязательно
разработанная технология позволит создать полностью отечественные лазерные установки для прецизионной обработки материалов (резки, сварки, гравировки, спекании и прочего) , медицинские аппараты для лазерной хирургии и офтальмологии, систем межспутникового информационного обмена и магистральных линий оптической связи
2
38.
Технология сборки силовых модулей IGBT паяной конструкции
приборы полупроводниковые прочие
26.11.22.190
требования к основным техническим характеристикам: напряжение от 1700 В до 6500 В;ток от 600 А до 1800 А
1 января 2030 г.
да
обязательно
применение современных технологий преобразования электроэнергии посредством силовой полупроводниковой электроники позволяет: обеспечивать необходимое количество и качество электроэнергии;снизить потери при ее генерации, транспортировке и потреблении; увеличить надежность электроснабжения и коэффициент полезной деятельности электротехнических устройств; улучшить экологию окружающей среды. В свою очередь, реализация проекта по сборке IGBT модулей позволит решит ряд актуальных задач, стоящих перед силовой электроникой:повышение ресурса работы преобразователей;повышение климатической стойкости и надежности;снижение себестоимости и стоимости жизненного цикла (стоимости владения) ;повышение удельной мощности преобразователей;снижение массогабаритных показателей;повышение коэффициент полезной деятельности преобразователей электроэнергии
3
39.
Технология производства фотонных интегральных схем
фотонные интегральные схемы (схемы интегральные электронные)
26.11.3
основные параметры технологии:используемые материалы:кремний, кремний на изоляторе, фосфид индия;размер пластин - 150 - 200 мм;технологическая норма: 500 нм. Промышленная продукция производится с использованием полупроводниковых технологий
1 января 2030 г.
да
неприменимо
технология позволит перейти на новый технологический уклад. Ведутся исследования разработки в указанном направлении, сформирована программа по развитию, имеет стратегическое значение в среднесрочной перспективе
1
40.
Технология производства стеклокерамических подложек для электронной техники
подложки ситалловые для электронной техники (части прочих электронных компонентов, не включенные в другие группировки)
26.11.40.190
технические характеристики: шероховатость рабочей поверхности - не менее 0, 032 мкм.;шероховатость не рабочей поверхности - не менее 4 мкм.;плотность СТ-50-1 ситалловой подложки - от 2, 6 г/см3 до 2, 7 см3;микротвердость - 705 кгс/мм2;термостойкость - + 210 градусов Цельсия;диэлектрическая проницаемость при частоте 1 МГц - от 8 до 9;тангенс угла диэлектрических потерь при частоте 1 МГц -не более 15;удельное объемное электрическое сопротивление при температуре + 100 градусов Цельсия - 1014 Ом·см;температурный коэффициент линейного расширения Альфа·107 К-1 в интервале температур от +20 до +300 градусов Цельсия;электрическая прочность СТ-50-1 - 47 кВ/мм;теплопроводность - 1, 4 Вт/м·К;габаритные размеры -60 x 48 x 0, 6 мм
31 декабря 2030 г.
да
неприменимо
потенциал развития заключается в создании высокотехнологичного производства с использованием сверхвысокочастной обработки, лазерной резки заготовок и ультразвуковой очистки поверхности. Ситалловые подложки СТ-50-1 применяются в радиоэлектронной промышленности, военно-промышленном комплексе, самолетостроении, судостроении и других отраслях электронной промышленности
1
41.
Технологии изготовления интегрально-оптических компонентов для управления распространением оптического сигнала, его преобразования и обработки
компоненты электронные
26.11
технические характеристики:малые габариты (1 см2) и размер за счет интеграции всех оптических элементов на одном кристалле;высокое быстродействие - (1 ГГц и более при проведении отдельных опытно-контрукторских работ) ; помехоустойчивость; взрывобезопасность;количество оптических входов/выходов от 1 до 12 (максимальное количество - 24) ;требования к технологии: производство с помощью методов фотолитографии (с разрешением 1 мкм) ;электронно-лучевой литографии(с разрешением 10 нм) ;напыления;плазмо-химического травления материалов и прочих технологий формирования интегральных схем
1 января 2050 г.
да
неприменимо
технологии изготовления интегрально-оптических компонентов в мире находятся на начальной стадии развития. В ближайшие 10 - 20 лет она будет продолжать развиваться, что приведет к интеграции на одном кристалле электрических и оптических элементов с возможностью существенного увеличения скорости и объемов передачи и обработки данных
1
411.
Технология производства жидкокристаллических экранных модулей
жидкокристаллический экран и продукция на его основе (мониторы, приемники телевизионные (телевизоры) цветного изображения, интерактивные панели, интерактивные столы, панели для видеостен, устройства отображения информации прочие)
26.1;26.20.13.000; 26.20.14.000; 26.20.15.000; 26.20.16.160; 26.20.16.190; 26.20.17.110; 26.40.20.122; 26.40.34.110
тип экрана: LCD (жидкокристаллический) ; количество пикселей по вертикали - от 720 до 4320, по горизонтали - от 1024 до 7680; диапазон яркости подсветки 250 - 3000 кд/м2; Тип подсветки - торцевая светодиодная либо прямая светодиодная; углы обзора: 178 градусов по вертикали, 178 градусов по горизонтали; время отклика (серый к серому) : не более 8 мс; поддерживаемые способы передачи данных цифрового видеосигнала: LVDS, ePD, V-by-one;Метод управления яркостью подсветки:ШИМ-модуляция (широтно-импульсная модуляция) ; тип поляризатора: антибликовый; значение твердости защитного покрытия по шкале Мооса:2H-7Н;ресурс светодиодной подсветки:от 30000 до 50000 часов;диапазон рабочих температур: от 0 до +50 оС; диапазон температуры хранения:от -20 до +60 оС
1 января 2030 г.
да
обязательно
внедрение технологии производства жидкокристаллических экранов в России решает задачи:импортозамещения средств отображения информации, востребованных во всех сферах экономики страны;замещения импортной готовой продукции на сумму до 60 млрд. рублей в год при объеме рынка свыше 200 млрд. рублей в год;создания высокопроизводительных рабочих мест;экономии валютных средствна реализацию федеральных проектов по цифровизации отраслей экономики (производство, образование, оборона и прочие)
3
(Дополнение позицией - Распоряжение Правительства Российской Федерации от 02.12.2021 № 3420-р)
412.
Технология сквозного цифрового контроля качества поверхностного монтажа элементов электронных компонентов на базе автоматических оптических инспекций
электронные печатные платы (любой сложности) ;компьютерыи периферийное оборудование;коммуникационное оборудование;
охранная сигнализация
26.12
выделенная линия автоматического монтажа включает комплекс современных автоматических инспекций на всех стадиях производства (после принтера трафаретной печати, после автоматов установки компонентов и после печи оплавления припоя) . Внедренные в них инструменты контроля (3D, RGB-подсветка, боковые камеры и онлайн-рентген) формируют большое количество контрольной информации, объединенной в общей базе для обработки больших объемов данных на сервере. Обработка информации обеспечивает внедрение интеллектуальных технологий принятия решения о качестве продукции, контроля выполнения требований стандартов качества по каждому виду продукции (импортозамещающая электроника, в том числе компьютеры и серверы на базе микропроцессора "Эльбрус", телекоммуникационное оборудование и др.) , минимизацию "человеческого фактора" на этапе технического контроля. Применяемая цифровая производственная технология позволит от 1, 5 до 6 раз уменьшить затраты времени сотрудника отдела технического контроля, по сравнению с 2D-AOI, до значения, меньшего чем такт производства продукции на линии автоматического монтажа.В этой технологии сотрудник отдела технического контроля будет выполнять полный оптический контроль продукции на линии, соблюдая ритм автоматического монтажа конвейера. Это обеспечит принципиально не достижимое старыми методами повышение производительности и выхода годных изделий, снижение себестоимости продукции
8 декабря 2030 г.
да
обязательно
совершенствование метода контроля качества промышленной продукции на основе инспекций (3D, RGB-подсветки, боковых камер и онлайн-рентгена) с обработкой и накоплением опыта повысят достоверность, их поэтапное внедрение обеспечит создание цифрового производства электроники. Опыт ведущих мировых производств подтверждает эту тенденцию
3
(Дополнение позицией - Распоряжение Правительства Российской Федерации от 02.12.2021 № 3420-р)
413.
Технологиякрупносерийного производства полного цикла радиоэлектронной продукции, включая производство печатных плат, поверхностный монтаж компонентов и финальную сборку готовой продукции, со сквозным контролем и прослеживаемостью используемого сырья и производимых технологических операций на всех этапах производства промышленной продукции
печатные платы;портативные компьютеры;
машины вычислительные электронные;
серверы;
системы хранения данных (СХД) ;
коммутаторы - средства связи, выполняющие функцию систем коммутации;
маршрутизаторы - средства связи, выполняющие функцию цифровых транспортных систем;
средства связи, выполняющие функцию систем управления и мониторинга;
сетевые устройства
26.12.10;
26.20.11;
26.20.13;
26.20.14;
26.20.15;
26.20.2;
26.30.11.110;
26.30.11.120;
26.30.11.130;
26.30.11.150
для печатных плат:
максимальные габариты печатной платы (без учета технологических полей) - 480 х 610 мм;
максимальное количество слоев печатной платы - до 32;
минимально допустимые ширина проводников/зазора между проводниками - 0, 05/0, 05 мм;
минимальный финишный диаметр металлизированного переходного отверстия 0, 2 мм;
максимальное соотношениетолщины печатной платы к минимальному финишному диаметру металлизированного переходного отверстия -не менее 14;
возможность выполнения глухих переходных отверстий с внешних слоев на -2 слой под нимив общем цикле прессованияи металлизации;
толщина медной фольгина внутренних слоях -от 15 до 150 мкм.
Производство должно быть рассчитано на выпускпродукции с указанными выше характеристиками в количестве не менее 30000 годных экземпляров в год с выходом годных не хуже 85 процентов из расчета от общего объема затраченных материалов.
Для портативных компьютеров (включая ноутбуки, планшетные компьютеры и другие) : использование процессоров на базе стандартной архитектурыx86 и открытых/лицензируемых архитектур ARM и RISC-V(включая процессоры отечественного производства) с возможностью конфигурации объемов поддерживаемой памяти, со встроенным модемом (3G/4G и т.д.) и модулями беспроводной связи (Bluetooth/Wi-Fi и т.д) .
Для машин вычислительных электронных (включая персональные компьютеры, моноблоки и другие) : использование процессоровна базе стандартной архитектуры x86 и открытых/лицензируемых архитектур ARM и RISC-V (включая процессоры отечественного производства) с возможностью конфигурации объемов поддерживаемой памяти и устройств хранения данных/накопителей (SATA/ NVMe, SSD/HDD и т.д.) .
Для серверных систем различного назначения (общего назначения, серверы хранения контента, телеком-серверы, серверы приложений, серверы баз данных, серверы ускорения вычислений и другие) : количество процессоров от 1 до 4, количество разъемов памяти до 48 шт., шины PCIe до Gen6 включительно, на базе процессоров стандартной архитектуры x86, а также открытых/лицензируемых архитектур ARM, POWER, включая процессоры отечественного производства на базе архитектур RISC-V, BAIKAL (ARM) .
Для системы хранения данных различного назначения (высокопроизводительные системы хранения данных, архивные системы хранения данных, объектные системы хранения данных и другие) : количество контроллеровот 1 до 16 (включая контроллеры построенные на базе процессоров отечественного производствас архитектурами RISC-V, BAIKAL (ARM) , позволяющие использовать различные типы накопителей (твердотельные накопители (SAS, SATA, NVMe) и накопители на жестких магнитных дисках (SATA/SAS/NLSAS) , а также обеспечивающие различные протоколы подключения (iSCSI, FC, NVMeoF, FCoE, RDMA, ROCE и другие) .
Для телекоммуникационного оборудования различных классов и назначения (коммутаторы, маршрутизаторы, базовые станции мобильных сетей связи, каналообразующее оборудование, оборудование беспроводного доступа, оборудованиедля организации виртуальных частных сетей, оборудование информационной безопасности) , в том числе оборудования, построенного на базе процессоров отечественного производства с архитектурами RISC-V, BAIKAL (ARM) :
для коммутаторови маршрутизаторов:
общие требования: интерфейсыот 1 Gigabit Ethernetдо 100 Gigabit Ethernet в зависимости от типа устройств.В максимальной конфигурации устройства поддерживают 32 интерфейса по 100 Gigabit Ethernet.
Требования к функциональным возможностям - контейнизированная ОС, поддержка RSTP/MSTP, QoS, ACL, ERSPAN, VLAN, IGMP, PIM, MCLAG, DHCP relay/server, VRRP, OSPF, BGP EVPN, BFD, ECMP, VxLAN, Telemetry, Segment Routing, MPLS, ROCE, SSH, SNMP, RADIUS/TACAS+.
Требования к аппаратным возможностям - поддержка российских CPU Baikal и других, резервирование питания и охлаждения.
Для базовых станций сетей подвижной радиотелефонной связи:
общие требования: организация радиопокрытия для сетей операторов связи и технологических сетей, работающий в поколениях связи 2G/3G/4G/5G и последующих.
Интерфейсы от 1 Gigabit Ethernet до 100 Gigabit Ethernet в зависимости от типа устройств
1 января 2030 г.
да
необязательно, так как данная технологияв полном объеме позволяет осуществить внедрение в серийное производство
внедряемая технология создает заделдля производства радиоэлектронной продукции в России, что повышает уровень национальной безопасности, увеличивает долю радиоэлектронной продукции, производимойна территории Российской Федерации, закрывает потребности рынка в радиоэлектронной продукции в связи с санкциями
2
(Дополнение позицией - Распоряжение Правительства Российской Федерации от 09.12.2022 № 3847-р)
414.
Технология крупносерийного производства печатных плат, применяемыхв электронных блоках управления для автомобильной, специализированной и сельскохозяйственной техникии беспилотной техники, со сквозным контролем и прослеживаемостью сырья и производимых технологических операцийна всех этапах производства промышленной продукции
печатные платы;
электронная система рулевого управления;
тахографы;
электронные системы управления силовыми установками;
электронные системы управления приводом;
электронные системы управления движением колесных транспортных средств, тракторови другой подвижной техники;
электронные системы управления кузовной электроникой;
электронные системы управления механизмови навесного оборудования колесных транспортных средств, сельскохозяйственной и дорожно-строительной техники;
электронные блоки управления тяговыми батареями транспортных средств, тракторов, средств индивидуальной мобильности и другой подвижной техники;
электронные системы управления электромеханической трансмиссией транспортных средств, тракторов, средств индивидуальной мобильности и другой подвижной техники;
приборыи аппаратурадля физического или химического анализа прочие, не включенныев другие группировки;
комплектующие (запасные части) летательных аппаратов, не имеющие самостоятельных группировок;
средства транспортныеи оборудование прочие, не включенныев другие группировки
26.12;
26.51.53.190;
30.30.50.110;
30.99.10;
30.99.10.190;
29.32.30
для печатных плат:
максимальные габариты мультиплицированной печатной платы (без учета технологических полей) - 350 х 500 мм;
максимальное количество слоев печатной платы - до 24;
класс точности - от 3 до 6;
соответствие IPC-600 - до Class 3;
толщина медной фольгина внутренних слоях - от 18 до 105 мкм;
финишное покрытие - иммерсионное золото, бессвинцовое лужение;
минимально допустимые значения ширины проводников/зазора между проводниками - 0, 1 мм/0, 1 мм;
минимальный финишный диаметр металлизированного переходного