воения гражданских рынков;
прорыв в научно-технологическом и экономическом аспектах с учетом приоритета капитализации и инновационного развития отрасли;
консолидация ресурсов для реализации комплексных проектов и выпуска конечной продукции с учетом приоритета обеспечения участия организаций с частным капиталом, малого и среднего бизнеса, а также высокой серийности электронной продукции.
2. Вклад отрасли в реализацию национальных целей
Отрасль играет важную роль в достижении национальных целей и стратегических задач развития Российской Федерации, установленных Указом Президента Российской Федерации от 7 мая 2018 г. № 204 "О национальных целях и стратегических задачах развития Российской Федерации на период до 2024 года". Существенный вклад отрасль вносит в ускорение технологического развития Российской Федерации, увеличение количества организаций, осуществляющих технологические инновации, а также в обеспечение ускоренного внедрения цифровых технологий в экономике и социальной сфере.
Безопасность важнейших элементов критической информационной инфраструктуры Российской Федерации должна обеспечиваться за счет разработки и внедрения компонентной базы и изделий электроники российского производства с последующим импортозамещением. Особенно значимыми направлениями для импортозамещения являются телекоммуникационное оборудование, вычислительная техника, системы автоматизированного и интеллектуального управления.
Электронная промышленность должна обладать высоким уровнем мобилизационной готовности в период мобилизации и в военное время.
Среднегодовой темп роста рынков электроники в мире за период 2008 - 2018 годов составил более 4 процентов. По состоянию на 2018 год на долю электронной продукции в общем объеме мировой экономики приходилось около 4, 2 процента. Необходимо использовать общемировую тенденцию роста влияния электронной промышленности на рост внутреннего валового продукта.
Развитие отрасли имеет и мощный социальный эффект. До 70 процентов стоимости электронной продукции формируется за счет интеллектуальной составляющей. Развитие отрасли обеспечивает рынок труда для разработчиков, системных архитекторов и конструкторов электроники на долгосрочный период.
V. Цели, задачи, приоритеты и целевые индикаторы реализации Стратегии
1. Цель, ключевые направления и задачи развития электронной промышленности
Целью развития электронной промышленности является обеспечение роста объема выручки организаций отрасли до 5220 млрд. рублей при доле гражданской продукции в общем объеме производства промышленной продукции (по выручке) не менее 87, 9 процента. Основными направлениями развития отрасли должны стать создание высокотехнологичной продукции на базе российских технических решений, обеспечивающей реализацию национальных проектов, а также доминирование на внутреннем рынке электронной продукции, критически значимой для обеспечения национальной безопасности, технологического и экономического развития. При этом объем экспорта электронной продукции должен увеличиться до 12020 млн. долларов США.
Целевыми значениями показателей развития отрасли к 2030 году являются:
доля выручки от реализации российской электронной продукции в валовом внутреннем продукте страны - 3, 5 процента;
доля гражданской электронной продукции, произведенной российскими организациями отрасли, в общем объеме внутреннего рынка электроники (по выручке) - 57, 4 процента;
доля электронной продукции, произведенной российскими организациями отрасли, в общем объеме внутреннего рынка электроники (по выручке) - 59, 1 процента;
выработка продукции на 1 сотрудника в электронной промышленности - 12, 5 млн. рублей.
Достижение указанной цели и таких целевых значений показателей развития отрасли будет обеспечено за счет комплексного решения задач по ключевым направлениям развития отрасли. Планируется:
по ключевому направлению "Научно-техническое развитие" - обеспечить развитие и импортонезависимость электронной промышленности по направлениям, критически значимым для национальных интересов и перспективным с точки зрения обеспечения лидирующих позиций;
по ключевому направлению "Средства производства" - обеспечить требуемую материально-техническую базу ключевых процессов разработки, производства и сервисного обслуживания электронной продукции;
по ключевому направлению "Отраслевые стандарты" - обеспечить конкурентоспособность отрасли через инструменты технического и отраслевого регулирования;
по ключевому направлению "Кадры" - ликвидировать кадровые проблемы, препятствующие достижению цели развития;
по ключевому направлению "Управление" - обеспечить соответствие управленческой системы отрасли предъявляемым требованиям и вызовам внешней среды;
по ключевому направлению "Кооперация" - обеспечить эффективность технологических процессов отрасли за счет разделения труда и комплексного планирования работ;
по ключевому направлению "Отраслевая информационная среда" - обеспечить информационную базу (аналитика и ситуационный прогноз) для принятия решений;
по ключевому направлению "Рынки и продукция" - обеспечить создание и вывод на рынки востребованной электронной продукции;
по ключевому направлению "Экономическая эффективность" - увеличить добавленную стоимость электронной продукции.
2. Мероприятия и целевые индикаторы реализации Стратегии
В части ключевого направления "Научно-техническое развитие" предусматривается:
разработать и промышленно освоить технологии создания и производства цифровой электроники (процессор, контроллер, память) и системного программного обеспечения, силовой электроники, радиоэлектроники, включая СВЧ-электронику и аналоговую электронику, оптоэлектронику, фотонику и радиофотонику, в том числе:
кремниевые технологии производства электронной компонентной базы с топологическими нормами 65 - 45 нм, 28 нм, 14 - 12 нм, 7 - 5 нм и последующий выпуск изделий на их основе;
разработку изделий по кремниевой технологии с топологической нормой 5 нм с последующим выпуском изделий на их основе на зарубежных фабриках и переносом производств в Российскую Федерацию;
кремниевые технологии производства твердотельных средств хранения данных с топологической нормой 25 - 30 нм и количеством слоев не менее 96;
технологии производства приборов отображения информации, в частности дисплеев на основе OLED не ниже 6-го поколения с разрешениями до 2048x2048 пикселей, микродисплеев на пластинах диаметром 200 мм;
технологии производства электронной компонентной базы СВЧ-диапазона, в том числе технологии BiCMOS HBT, HEMT, pHEMT с топологической нормой 65 - 45 нм, гетерогенную интеграцию на уровне пластины GaN on Si, SiGe, GaAs;
изделия электронной компонентной базы для терагерцового диапазона частот на основе InP и других материалов для радаров, видеосистем, медицинского оборудования и иных применений;
технологии фотоники, в том числе гетерогенную интеграцию InP с кремниевой технологией для изготовления фотонных интегральных схем, а также технологии для активных и пассивных сенсоров тепловизионных и других оптических систем;
технологии изготовления полупроводниковых лазеров, в том числе на основе GaAs, GaN, InP и соединений на их основе, для всех сфер применения, включая телекоммуникационное оборудование, лазерные сканеры, лидары;
технологии для производства силовой электроники на основе GaN, SiC, высоковольтной (до 6500В и 1200А) и высокотемпературной (до 4500С) ;
технологию изготовления MEMS сенсоров с топологическими нормами до 0, 5 мкм;
технологии источников питания с коэффициентом полезного действия до 99 процентов;
технологии шифрования и криптозащиты, включая аппаратную реализацию технологий блокчейна;
технологии изготовления многослойных жестких, гибких и гибко-жестких печатных плат (до 32 слоев) , в том числе с использованием органических материалов;
технологии изготовления пластиковых корпусов;
новые вакуумные технологии.
Планируется разработать и промышленно освоить ключевые технологии и производства:
полупроводниковых материалов во всех необходимых формах (поли- и монокристаллический кремний, карбид кремния, монокристаллический алмаз) , эпитаксиальных структур кремния, КНИ (кремний на изоляторе) , КНС (кремний на сапфире) , КСДИ (кремниевые структуры с диэлектрической изоляцией) , гетероэпитаксиальных структур А3B5, А2B6, КРТ (гетероэпитаксиальные структуры тройного соединения кадмий-ртуть-теллур) и др.;
материалов для литографии, в том числе фото-, электронно- и рентгенорезистов, проявителей, планаризирующих и антиотражающих покрытий;
расходных технологических материалов, в том числе кислот, растворителей, травителей, специальных газов и смесей газов, металлоорганических соединений, высокочистых металлов и сплавов, мишеней, композиционных металлических материалов, клеев, паст, компаундов, лаков, флюсов, герметиков и изотопов;
оснастки для изготовления кристаллов и сборки кремниевых сверхбольших интегральных схем и полупроводниковых приборов, сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем и полупроводниковых приборов на А3В5 и А2В6, радиофотонной и фотонной электронной компонентной базы, электронных модулей оптоэлектронных приемников и средств отображения информации, интегральных полупроводниковых, магниторезистивных, тензорезистивных MEMS и MOEMS.
Планируется разработать:
технологии, специальные материалы, технологическое и контрольно-измерительное оборудование для производства фотошаблонов с проектными нормами 250 нм, 180 нм, 90 нм, 65 нм и 28 нм, а также решений для проектных норм 22 - 20 нм, 16 - 14 нм и менее для сверхбольших интегральных схем, сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем, полупроводниковых приборов, MEMS, опто- и фотоэлектроники, радиофотоники на подложках из материалов Si, GaAs, GaN, SiC, структур КНИ (кремний на изоляторе) , гетероструктур А3В5 (GaAs, GaN/SiC) и А2В6;
технологии производства сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем и полупроводниковых приборов на А3В5, А2В6 и электронных модулей на их основе, включая технологии на GaAs (pHEMT, PIN, DHFET, BiHEMT, E/D pHEMT, HBT) , на GaN (HEMT, pHEMT) , на GaAlInSbAs (mHEMT) , на GaSb/InAs (НEMT) , на InP (HEMT, HBT) , на Si (DMOS) , на SiGe (HBT BiCMOS) , FBAR (AlN/Si/Mo/SiO2) и ДДРВ (Si и SiC) ;
технологии производства опто- и фотоэлектронной компонентной базы, включая микродисплеи на основе OLED, диодные лазеры, включая вертикально излучающие, на основе InGaAs, InAlAs, мощные ИК-диоды на основе GaAs, микроболометры (VOx, б-Si) , матричные фотоприемники на приборах с зарядовой связью, КМОП (комплементарная структура металл-оксид-полупроводник) и QWIP-структурах;
технологии производства радиофотонной электронной компонентной базы, включая сверхбыстродействующие радиофотонные аналого-цифровые преобразователи и широкополосные радиочастотные приемники, электронные модули базовых блоков интегральной радиофотоники;
технологии производства MEMS и MOEMS, интеллектуальных сенсоров и 3D микросборок, включая инерциальные MEMS (микроакселерометры, микрогироскопы, инклинометры) , ВЧ MEMS и актюаторы (переключатели, генераторы, микроактюаторы) , MOEMS (оптические переключатели, микрозеркала, микроболометры, модуляторы, кольцевые резонаторы) , акустические и акустоэлектронные микросистемы (акустические фильтры, микрофоны, преобразователи частоты) , преобразователи магнитного поля и магнитометрические микросистемы на их основе, MEMS для мониторинга состояния окружающей среды и биохимического анализа (датчики давления, датчики газа, датчики влажности, микрофлюидные датчики) , микросистемы для человека и биологических объектов.
Необходимо внедрить практику постоянной актуализации перечня перспективных технологий отрасли в формате ежегодного отраслевого технологического прогноза, обеспечить межотраслевую интеграцию и трансфер технологий разработки и производства электронной продукции, создать технологический задел в виде программно-аппаратных комплексов, обеспечивающих реализацию сквозных технологий: большие данные, нейротехнологии и искусственный интеллект, системы распределенного реестра, квантовые технологии, компоненты робототехники и сенсорика, промышленный интернет, технологии беспроводной связи, технологии виртуальной и дополненной реальности.
Планируется обеспечить генерацию и внедрение инновационных решений в формате отраслевых программ и банка инновационных идей, разработку и внедрение российского программного обеспечения, в том числе для телекоммуникационного оборудования.
В части ключевого направления "Средства производства" предусматривается:
обеспечить доступность современных средств проектирования и производства, в том числе через создание и развитие инфраструктуры их совместного использования;
создать:
кремниевые фабрики, работающие в режиме "фаундри" для выпуска цифровых интегральных микросхем с топологическими нормами 28 нм, 14 - 12 нм, 7 - 5 нм;
фабрику с технологией гетероинтеграции с топологической нормой 65 - 45 нм для выпуска СВЧ-электроники и сенсоров;
фабрику на базе технологии SiGe для МИС, сложнофункциональных систем на кристалле для систем радиоэлектроники в диапазонах 100 ГГц и выше;
фабрику с технологией создания нанометровой ЭКБ, МИС, сложнофункциональных систем на кристалле и систем радиоэлектроники в субмиллиметровом диапазоне до 1 ТГц на базе технологий GaN-on-SC, InP и алмаза;
производство фотошаблонов в обеспечение производств нанометровой ЭКБ, МИС с необходимым топологическим уровнем;
производство подложек кремния (в том числе высокоомного) диаметром 200 - 300 мм и поликристаллического алмаза диаметром до 100 мм;
фабрику по производству OLED дисплеев и микродисплеев;
кремниевую фабрику для производства твердотельных накопителей данных;
фабрику многослойных (до 32 слоев) печатных плат до 8-го класса точности;
производство перспективных приемников УФ- и ИК-диапазонов, работающих в двух и более спектральных диапазонах для систем адаптивного и беспилотного управления транспортом.
Необходимо поддержать разработку, производство и использование российских средств проектирования, системного и прикладного программного обеспечения, в том числе через создание доверенной отраслевой технологической платформы, технологий производства, сырьевых ресурсов, материалов и оборудования.
Планируется обеспечить разработку и внедрение технологических процессов для реализации модели "фаундри", преемственность технических решений в виде технологической унификации и унификации по оснащаемому технологическому оборудованию, информатизацию производства для повышения производительности труда и эффективности работы организаций.
Планируется создать:
программные и технические средства систем автоматизированного проектирования, библиотеки сложнофункциональных блоков и технологии проектирования интегральных схем различных уровней интеграции, систем на кристалле и модулей типа "система в корпусе на кремнии", КНИ (кремний на изоляторе) , кремний-германий и карбид кремния, сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем и полупроводниковых приборов на А3В5 и А2В6, радиофотонной и оптоэлектронной компонентной базы и электронных модулей оптоэлектронных приемников и средств отображения информации, интегральных полупроводниковых, магниторезистивных, тензорезистивных МЭМС и МОЭМС;
контрольно-измерительное и испытательное оборудование и оснастку, метрологические эталоны и средства поверки для контроля функционирования и измерения параметров и испытаний сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем, полупроводниковых приборов, электронной компонентной базы для радиофотоники и СВЧ-электронных модулей с рабочими частотами до 650 ГГц.
технологическое и инженерное оборудование, технологические линии и оснастка для серийного и опытного производства кристаллов интегральных схем различных уровней интеграции, сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем, полупроводниковых приборов и МЭМС для модернизации существующих предприятий уровня 250 - 180 нм и 90 - 65 нм для перспективных технологических линеек;
технологическое оборудование, комплектацию и оснастку для серийной и опытной сборки, измерений и испытаний интегральных схем различных уровней интеграции, полупроводниковых приборов и оптоэлектронной компонентной базы и электронных модулей, оптоэлектронных приемников и средств отображения информации, интегральных полупроводниковых МЭМС.
Необходимо усилить мощности по проектированию микроэлектроники за счет развития центров коллективного проектирования.
В части ключевого направления "Отраслевые стандарты" предусматривается:
модернизировать отраслевую систему стандартов в соответствии с существующими и перспективными международными требованиями к продукции, технологиям и организационным процессам;
обеспечить разработку национальных стандартов по перспективным видам электронной продукции с последующей их трансформацией в международные;
обеспечить преимущественное использование микроэлектроники и программного обеспечения российского производства при установлении требований (стандартов) к цифровым технологиям.
В части ключевого направления "Кадры" предусматривается:
повысить привлекательность отрасли для профессиональных кадров и молодежного кадрового резерва;
привлечь в отрасль сотрудников, обладающих необходимыми технологическими компетенциями;
обеспечить подготовку, развитие и управление кадрового ресурса отрасли с приоритетом перспективных для будущих изделий и рынков специальностей;
внедрить средне- и долгосрочное планирование, ежегодный мониторинг кадровых потребностей отрасли;
обеспечить актуализацию, разработку и дальнейшее развитие системы профессиональных и образовательных стандартов;
обеспечить внедрение российских разработок в процессы подготовки и переподготовки специалистов.
В части ключевого направления "Управление" предусматривается:
разработать и внедрить автоматизированную систему управления отраслью;
внедрить систему управления рисками развития отрасли;
создать благоприятную для прорывного развития и капитализации отрасли нормативно-правовую базу;
обеспечить внедрение современных бизнес-моделей;
привлечь к реализации Стратегии компании с частным капиталом, успешно работающие на гражданских рынках электроники.
В части ключевого направления "Кооперация" предусматривается:
многократно расширить практику использования существующих производственных, научных и инженерных ресурсов, включая партнерство с иностранными организациями;
определить приоритетные направления кооперации с иностранными производителями в интересах создания и поэтапной локализации базовых технологий, микроэлектроники, оборудования и материалов;
повысить информированность о существующих кооперационных производственных и инженерных возможностях;
исключить регуляторные и организационные барьеры, препятствующие развитию кооперации;
организовать сбор, анализ, обобщение и распространение лучших практик управления кооперацией.
В части ключевого направления "Отраслевая информационная среда" предусматривается:
сформировать и развивать отраслевые базы данных, в том числе распределенные доверенные реестры аппаратуры, электронной компонентной базы, компетенций и мощностей;
обеспечить развитие и унификацию средств информационного обмена в отрасли;
обеспечить актуализацию и развитие системы сбора данных для мониторинга и контроля развития отрасли;
создать цифровую систему управления и мониторинга жизненного цикла электронной продукции;
сформировать информационную среду отрасли.
В части ключевого направления "Рынки и продукция" предусматривается:
обеспечить участие отрасли в реализации мероприятий национальных и федеральных проектов и программ;
внедрить практику регулярного анализа и прогноза развития рынков электроники в интересах системного планирования развития отрасли;