подложек нитрида галлия, арсенида галлия, фосфида индия, кремния и гетероэпитаксиальных структур на их основе
76, 447, 3
50, 131
26, 316, 3
создание технологии массового производства высокочистых химических материалов (аммиака, арсина, фосфина, тетрахлорида кремния) для выпуска полупроводниковых подложек нитрида галлия, арсенида галлия, фосфида индия, кремния и гетероэпитаксиальных структур на их основе (2009 год)
75.
Разработка технологии производства поликристаллических алмазов и их пленок для теплопроводных конструкций мощных выходных транзисторов и сверхвысокочастотных приборов
62, 0745, 38
1212
35, 0723, 38
1510
создание технологии производства поликристаллических алмазов и их пленок для мощных сверхвысокочастотных приборов (2012 год)
76.
Исследование путей и разработка технологии изготовления новых микроволокон на основе двухмерных диэлектрических и металлодиэлектрических микро- и наноструктур, а также полупроводниковых нитей с наноразмерами при вытяжке стеклянного капилляра, заполненного жидкой фазой полупроводника
5738
3624
2114
создание технологии изготовления новых микроволокон на основе двухмерных диэлектрических и металлодиэлектрических микро- и наноструктур для новых классов микроструктурных приборов, магниторезисторов, осцилляторов, устройств оптоэлектроники (2009 год)
77.
Разработка технологии выращивания слоев пьезокерамики на кремниевых подложках для формирования комплексированных устройств микросистемной техники
64, 04839
4, 53
32, 54818
2718
создание базовой пленочной технологии пьезокерамических элементов, совместимой с комплементарной металлооксидной полупроводниковой технологией для разработки нового класса активных пьезокерамических устройств, интегрированных с микросистемами (2011 год)
78.
Разработка методологии и базовых технологий создания многослойных кремниевых структур с использованием "жертвенных" и "стопорных" диффузионных и диэлектрических слоев для производства силовых приборов и элементов микроэлектромеханических систем
63, 65738
42, 65724
2114
создание технологии травления и изготовления кремниевых трехмерных базовых элементов микроэлектромеханических систем с использованием "жертвенных" и "стопорных" слоев для серийного производства элементов микроэлектромеханических систем (2009 год) кремниевых структур с использованием силикатных стекол, моно-, поликристаллического и пористого кремния и диоксида кремния
79.
Разработка базовых технологий получения алмазных полупроводниковых наноструктур и наноразмерных органических покрытий с широким диапазоном функциональных свойств
45, 8522
29, 3511
16, 511
создание технологии получения алмазных полупроводниковых наноструктур и наноразмерных органических покрытий, алмазных полупроводящих пленок для конкурентоспособных высокотемпературных и радиационно стойких устройств и приборов двойного назначения (2011 год)
80.
Исследование и разработка технологии роста эпитаксиальных слоев карбида кремния, структур на основе нитридов, а также формирования изолирующих и коммутирующих слоев в приборах экстремальной электроники
136, 71688, 55
57, 13238
79, 58450, 55
создание технологии изготовления гетероструктур и эпитаксиальных структур на основе нитридов для создания радиационно стойких сверхвысокочастотных и силовых приборов нового поколения (2009 год)
81.
Разработка технологии производства радиационно стойких сверхбольших интегральных схем на ультратонких гетероэпитаксиальных структурах кремния на сапфировой подложке для производства электронной компонентной базы специального и двойного назначения
159, 83190
5235
107, 83155
создание технологии производства структур "кремний на сапфире" диаметром до 150 мм с толщиной приборного слоя до 0, 1 мкм и топологическими нормами до 0, 18 мкм для производства электронной компонентной базы специального и двойного назначения (2009 год)
82.
Разработка технологии производства высокоомного радиационно облученного кремния, слитков и пластин кремния диаметром до 150 мм для производства силовых полупроводниковых приборов
138, 54989, 7
5436
84, 54953, 7
создание технологии производства радиационно облученного кремния и пластин кремния до 150 мм для выпуска мощных транзисторов и сильноточных тиристоров нового поколения (2009 год)
83.
Разработка технологии производства кремниевых подложек и структур для силовых полупроводниковых приборов с глубокими высоколегированными слоями р- и n-типов проводимости и скрытыми слоями носителей с повышенной рекомбинацией
90, 458, 9
38, 524
51, 934, 9
разработка и промышленное освоение получения высококачественных подложек и структур для использования в производстве силовых полупроводниковых приборов с глубокими высоколегированными слоями и скрытыми слоями носителей с повышенной рекомбинацией (2009 год)
84.
Разработка технологии производства электронного кремния, кремниевых пластин диаметром до 200 мм и кремниевых эпитаксиальных структур уровня технологии 0, 25 - 0, 18 мкм
220, 764162
73, 96448
146, 8114
создание технологии производства пластин кремния диаметром до 200 мм и эпитаксиальных структур уровня 0, 25 - 0, 18 мкм (2009 год)
85.
Разработка методологии, конструктивно-технических решений и перспективной базовой технологии корпусирования интегральных схем и полупроводниковых приборов на основе использования многослойных кремниевых структур со сквозными токопроводящими каналами
266, 35161
81, 8538
124, 583
3020
3020
разработка технологии корпусирования интегральных схем и полупроводниковых приборов на основе использования многослойных кремниевых структур со сквозными токопроводящими каналами, обеспечивающей сокращение состава сборочных операций и формирование трехмерных структур (2013 год)
86.
Разработка технологии производства гетероструктур SiGe для разработки сверхбольших интегральных схем с топологическими нормами 0, 25 - 0, 18 мкм
230, 141143
35, 14113
13590
3020
3020
создание базовой технологии производства гетероструктур SiGe для выпуска быстродействующих сверхбольших интегральных схем с топологическими нормами 0, 25 - 0, 18 мкм (2011 год, 2013 год)
87.
Разработка технологии выращивания и обработки, в том числе плазмохимической, новых пьезоэлектрических материалов для акустоэлектроники и акустооптики
46, 74534
28, 74522
1812
создание технологии выращивания и обработки пьезоэлектрических материалов акустоэлектроники и акустооптики для обеспечения производства широкой номенклатуры акустоэлектронных устройств нового поколения (2009 год)
88.
Разработка технологий производства соединений А3В5 и тройных структур для производства сверхмощных лазерных диодов, высокоэффективных светодиодов белого, зеленого, синего и ультрафиолетового диапазонов, фотоприемников среднего инфракрасного диапазона
93, 50158
24, 00112
3322
2315
13, 59
создание технологии массового производства исходных материалов и структур для перспективных приборов лазерной и оптоэлектронной техники, в том числе производства сверхмощных лазерных диодов (2010 год) , высокоэффективных светодиодов белого, зеленого, синего и ультрафиолетового диапазонов (2011 год) , фотоприемников среднего инфракрасного диапазона (2013 год)
89.
Исследование и разработка технологии получения гетероструктур с вертикальными оптическими резонаторами на основе квантовых ям и квантовых точек для производства вертикально излучающих лазеров для устройств передачи информации и матриц для оптоэлектронных переключателей нового поколения
45, 2130
30, 3122
14, 98
создание технологии производства принципиально новых материалов полупроводниковой электроники на основе сложных композиций для перспективных приборов лазерной и оптоэлектронной техники (2009 год)
90.
Разработка технологии производства современных компонентов для специализированных фотоэлектронных приборов, в том числе катодов и газо- поглотителей, электронно-оптических и отклоняющих систем, стеклооболочек и деталей из электровакуумного стекла различных марок
32, 30517
24, 80512
7, 55
создание технологии производства компонентов для специализированных электронно-лучевых (2010 год) , электронно-оптических и отклоняющих систем (2010 год) , стеклооболочек и деталей из электровакуумного стекла различных марок (2011 год)
91.
Разработка технологии производства особо тонких гетерированных нанопримесями полупроводниковых структур для высокоэффективных фотокатодов, электронно-оптических преобразователей и фотоэлектронных умножителей, приемников инфракрасного диапазона и солнечных элементов с высокими значениями коэффициента полезного действия
39, 50532
27, 50520
1212
создание технологии производства особо тонких гетерированных нанопримесями полупроводниковых структур для изготовления высокоэффективных фотокатодов электронно-оптических преобразователей и фотоэлектронных умножителей, приемников инфракрасного диапазона, солнечных элементов и других приложений (2009 год)
92.
Разработка базовой технологии производства монокристаллов AlN для изготовления изолирующих и проводящих подложек для гетероструктур
42, 01324
24, 01312
1812
создание технологии монокристаллов AlN для изготовления изолирующих и проводящих подложек для создания полупроводниковых высокотемпературных и мощных сверхвысокочастотных приборов нового поколения (2011 год)
93.
Разработка базовой технологии производства наноструктурированных оксидов металлов (корунда и др.) для производства вакуумно-плотной нанокерамики, в том числе с заданными оптическими свойствами
44, 59929, 2
29, 69419, 85
14, 9059, 35
создание базовой технологии вакуумно-плотной спецстойкой керамики из нанокристаллических порошков и нитридов металлов для промышленного освоения спецстойких приборов нового поколения (2009 год) , в том числе микрочипов, сверхвысокочастотных аттенюаторов, RLC-матриц, а также особо прочной электронной компонентной базы оптоэлектроники и фотоники
94.
Разработка базовой технологии производства полимерных и гибридных органо-неорганических наноструктурированных защитных материалов для электронных компонентов нового поколения прецизионных и сверхвысокочастотных резисторов, терминаторов, аттенюаторов и резисторно-индукционно- емкостных матриц, стойких к воздействию комплекса специальных внешних факторов
25, 00613
22, 00611
32
создание технологии производства полимерных и композиционных материалов с использованием поверхностной и объемной модификации полимеров наноструктурированными наполнителями для создания изделий с высокой механической, термической и радиационной стойкостью при работе в условиях длительной эксплуатации и воздействии комплекса специальных внешних факторов (2011 год)
95.
Исследование и разработка перспективных гетероструктурных и наноструктурированных материалов с экстремальными характеристиками для перспективных электронных приборов и радиоэлектронной аппаратуры специального назначения
1365, 875910, 25
225150
269179
309206
306, 375204, 25
256, 5171
создание базовой технологии производства гетероструктур, структур и псевдоморфных структур на подложках InP для перспективных полупроводниковых приборов и сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем диапазона 60 - 90 ГГц (2012 год) , создание технологии получения алмазных полупроводниковых наноструктур и наноразмерных органических покрытий (2013 год) , алмазных полупроводящих пленок для конкурентоспособных высокотемпературных и радиационно стойких устройств и приборов двойного назначения, создание технологии изготовления гетероструктур и эпитаксиальных структур на основе нитридов (2015 год)
96.
Исследование и разработка экологически чистых материалов и методов их использования в производстве электронной компонентной базы и радиоаппаратуры, включая бессвинцовые композиции для сборки
1254, 0188836, 0125
435290
300200
259, 5188173, 0125
259, 5173
создание нового класса конструкционных и технологических материалов для уровней технологии 0, 065 - 0, 032 мкм и обеспечения высокого процента выхода годных изделий, экологических требований по международным стандартам (2012 год, 2015 год)
97.
Разработка перспективных технологий получения ленточных материалов (полимерные, металлические, плакированные и другие) для радиоэлектронной аппаратуры и сборочных операций электронной компонентной базы
1333, 625889, 75
404270
352, 5235
292, 125194, 75
285190
создание перспективных технологий производства компонентов для специализированных электронно-лучевых, электронно-оптических и отклоняющих систем, стеклооболочек и деталей из электровакуумного стекла различных марок (2013 год) , создание технологии производства полимерных и композиционных материалов с использованием поверхностной и объемной модификации полимеров наноструктурированными наполнителями (2015 год)
Всего по направлению 5
6316, 19284131, 0825
621, 754407, 85
658, 169431, 6
365, 251177, 62
717478
1260840
1035690
858, 0188572, 0125
801534
Направление 6. Группы пассивной электронной компонентной базы
98.
Разработка технологии выпуска прецизионных температуростабильных высокочастотных до 1, 5 - 2 ГГц резонаторов на поверхностно акустических волнах до 1, 5 ГГц с полосой до 70 процентов и длительностью сжатого сигнала до 2 - 5 нс
30, 92820
1812
12, 9288
разработка расширенного ряда резонаторов с повышенной кратковременной и долговременной стабильностью для создания контрольной аппаратуры и техники связи двойного назначения
99.
Разработка в лицензируемых и нелицензируемых международных частотных диапазонах 860 МГц и 2, 45 ГГц ряда радиочастотных пассивных и активных акустоэлектронных меток-транспондеров, в том числе работающих в реальной помеховой обстановке, для систем радиочастотной идентификации и систем управления доступом
78, 545
3214
3322
13, 59
создание технологии и конструкции акустоэлектронных пассивных и активных меток-транспондеров для применения в логистических приложениях на транспорте, в торговле и промышленности (2010 год, 2011 год)
100.
Разработка базовой конструкции и промышленной технологии производства пьезокерамических фильтров в корпусах для поверхностного монтажа
30, 519, 5
1711
13, 58, 5
создание технологии проектирования и базовых конструкций пьезоэлектрических фильтров в малогабаритных корпусах для поверхностного монтажа при изготовлении техники связи массового применения (2009 год)
101.
Разработка технологии проектирования, базово