Постановление Правительства Российской Федерации от 19.07.2022 г. № 1299

1.5.5.4.1.1.

Технологии разработки, производства или применения термоэлектрических материалов с величиной произведения добротности z на градусы Кельвина, равной 0, 6 или более(z - определяется электропроводностью материала и его термоэлектрическим коэффициентом Зеебека) при температуре термоэлектрического материала 600°C или выше;

1.5.5.4.1.2.

Технологии разработки, производства или применения коммутационных (электрических и тепловых) переходов к термоэлектрическим материалам и соединений между этими материалами, характеризующихся стабильностью при воздействии температуры 600°C или выше и стойкостью к воздействию нейтронов при флюэнсе 1020 нейтронов/см2 с энергией нейтронов более 0, 1 МэВ;

1.5.5.4.2.

Технологии разработки, производства или применения термоэмиссионных преобразователей с параметрами удельной мощности 3 Вт/см2 или более, температурой эмиттера 1400°C или выше с КПД 12 процентов или выше для ядерных энергосистем различного назначения, а также электрогенерирующих систем, содержащих два или более термоэмиссионных преобразователя с величиной, усредненной по эмиссионной поверхности удельной электрической мощности 2, 5 Вт/см2

1.5.5.5.

Технологии разработки, производства или применения импульсных силовых систем:

1.5.5.5.1.

Технологии проектирования и комплексирования систем:

1.5.5.5.1.1.

Технологии обработки поверхностей для повышения возможностей линий электропередачи при напряженности более10 МВ/м;

1.5.5.5.1.2.

Технологии разработки, производства или применения импульсных силовых систем с удельной энергией 35 кДж/кг или более, удельной мощностью 250 Вт/кг или более, предназначенных для мобильной эксплуатации при установке на транспортных средствах или пригодных в использовании на космических аппаратах, включая методы защиты от воздействия факторов окружающей среды и повышения радиационной стойкости;

1.5.5.5.2.

Технология генерации и накопления:

1.5.5.5.2.1.

Технологии разработки, производства или применения генераторов со сжатием магнитного потока с единичным энергозапасом более 50 МДж, включая:а) разработку, производство или применение магнитоэлектрических генераторов со сжатием потока в расчете на минимизацию потерь и максимизацию эффективности преобразования энергии, включая:методы уменьшения потерь магнитного потока и его локализации;методы предотвращения неблагоприятных эффектов сильных магнитных полей;методы предотвращения электрического пробоя;б) разработку, производство или применение технических средств и методов формирования импульсов магнитоэлектрических генераторов со сжатием потока, а также разработку особых конструкций импульсных генераторов, входных и выходных переключателей и формирование передающих линий;в) разработку трансформаторов связи для магнитоэлектрических генераторов и применение согласования импеданса;

1.5.5.5.2.2.

Технология импульсных батарей:

1.5.5.5.2.2.1.

Технологии разработки, производства или применения систем электродов для получения импульсов сверхвысокой частоты и методов химической обработки поверхности;

1.5.5.5.2.2.2.

Технологии разработки, производства или применения электролитов с высокой подвижностью носителей, большой вязкостью или твердых электролитов;

1.5.5.6.

Технологии разработки, производства или применения компактных ускорителей легких ионов (протонов) , рассчитанных на эксплуатацию в верхних слоях атмосферы и (или) космическом пространстве

Категория 2. Перспективные материалы

2.1.

Системы, оборудование и компоненты - нет

2.2.

Испытательное, контрольное и производственное оборудование

2.2.1.

Оборудование для тепловых испытаний образцов материалов с углерод-углеродным покрытием при температурах выше 1650°C

9031 20 000 0;9031 80 980 0

2.3.

Материалы

2.3.1.

Композиционные материалы на основе стекломатрицы, армированной высокопрочными волокнами с плотностью 1900 кг/м3 или более, прочностью 150 МПа или более, специально разработанные для изготовления деталей (в том числе узлов трения в силовых установках) , работающих при температурах 500°C или выше (в том числе в агрессивных средах)

7019 62 000 9;7019 69 000 5;7019 72 000 9;7019 73 000 9;7019 80 000 2;7020 00 100 0;7020 00 800 0

2.4.

Программное обеспечение - нет

2.5.

Технология

2.5.1.

Технологии разработки, производства или применения конструкционных материалов:

2.5.1.1.

Технологии разработки или производства сплавов на основе молибдена, легированного редкоземельными и другими металлами, в части режимов получения и обработки;

2.5.1.2.

Технологии разработки или применения процессов плавки, легирования и литья слитков из алюминий-литиевых сплавов, позволяющих преодолеть химическую активность таких сплавов

2.5.2.

Технологии разработки, производства или применения композиционных материалов, определенных в пункте 2.3.1

2.5.3.

Технологии разработки, производства или применения новых сплавов на основе Fe-Cr-Al с улучшенными характеристиками, работающих длительное время в окислительной среде при температуре 1400°C или выше, способных к экструдированию и прокатыванию

2.5.4.

Технологии измельчения материалов, основанные на формировании струй газовзвеси в соплах с криволинейной осью с последующим столкновением ее с вращающимися мишенями, имеющими разные знаки направления векторов окружных скоростей, позволяющие осуществлять измельчение полидисперсных материалов до средних размеров частиц диаметром менее40 мкм

2.5.5.

Технологии изготовления посредством сращивания кремниевых пластин со сколом внедрения водородом (технология DeleCut) структур кремний-на-изоляторе (КНИ) , разработанных для производства радиационно стойких СБИС

2.5.6.

Технологии изготовления на основе бескислородных керамических материалов (нитриды алюминия, кремния, карбид кремния) подложек для теплоотводов СВЧ-приборов

2.5.7.

Технологии выращивания бездислокационного монокристаллического кварца для использования в оптических приборах и пьезотехнике

2.5.8.

Технологии разработки, производстваи применения сорбирующих материалов (веществ, композиций) , способных извлекать (накапливать) из различных жидких сред радиоактивные изотопы, имеющие период полураспада более 10 днейПримечание.

Пункт 2.5.8. не применяется в отношении сорбирующих материалов (веществ, композиций) , имеющих значение коэффициента концентрирования менее 10000, подтвержденное аккредитованной испытательной лабораторией

Техническое примечание.

Коэффициент концентрирования рассчитывается как отношение равновесной концентрации радиоактивных изотопов в сорбирующем материале к концентрации радиоактивных изотопов в исходной среде

(Дополнение пунктом - Постановление Правительства Российской Федерации от 16.03.2024 № 308)

Категория 3. Обработка и получение материалов

3.1.

Системы, оборудование и компоненты

3.1.1.

Высокоточные воздушные подшипниковые системы и их компоненты

8483 30 380 9;8483 30 800 3;8483 30 800 7;8483 90 200 9

3.1.2.

Шариковые радиальные и радиально-упорные подшипники качения и опоры шарикоподшипниковые, имеющие все следующие характеристики:

8482 10 100 9;8482 10 900

а) допуски, указанные производителем, в соответствии с классом точности 4 или выше (лучше) по международному стандарту ISO 492 или его национальному эквиваленту;б) диаметр отверстия внутреннего кольца подшипника от 1 мм до 12 мм; ив) максимальное число оборотов в минуту30000 или болееПримечание.Пункт 3.1.2 не применяется к подшипникам, предназначенным для использования в составе медицинского оборудования

3.1.3.

Шариковые радиальные и радиально-упорные подшипники качения с регламентированным уровнем вибрации с индексами Ш6 - Ш8

8482 10 100 9;8482 10 900

3.1.4.

Подшипники для авиационной, ракетно-космической и специальной техники, изготовленные по специальным техническим требованиям

8482

(Дополнение пунктом - Постановление Правительства Российской Федерации от 26.01.2023 № 105)

3.2.

Испытательное, контрольное и производственное оборудование - нет

3.3.

Материалы - нет

3.4.

Программное обеспечение - нет

3.5.

Технология

3.5.1.

Технологии разработки, производства или применения подшипниковых систем и их компонентов, определенных в пункте 3.1.1

Категория 4. электроника

4.1.

Системы, оборудование и компоненты

4.1.1.

Блокираторы радиовзрывателей

8542 31 300 0;8542 32 300 0;8542 33 300 0;8542 39 300 0;8543 20 000 0

4.1.2.

Электронно-оптические приборы, предназначенные для дистанционного обнаружения ведущих встречное наблюдение оптических и электронно-оптических средств в радиусе более 50 м при любых условиях освещения

9005 80 000 0;9013 80 000 0

4.1.3.

Электронно-оптические преобразователи, имеющие все нижеперечисленное:

а) максимум спектральной чувствительности в диапазоне длин волн от 400 нм до 1050 нм или в диапазоне длин волн от 1050 нм до 1800 нм;

б) фотокатоды с интегральной чувствительностью более 200 мкА/лм

8540 20 800 0

(Дополнение пунктом - Постановление Правительства Российской Федерации от 26.01.2023 № 105)

4.2.

Испытательное, контрольное и производственное оборудование - нет

4.3.

Материалы - нет

4.4.

Программное обеспечение

4.4.1.

(Пункт исключен - Постановление Правительства Российской Федерации от 26.01.2023 № 105)

4.4.2.

Программное обеспечение для разработки, производства или применения космических элементов спутниковой системы связи, радиолокационного наблюдения и их элементов, таких как:

4.4.2.1.

Антенн и механизмов, указанныхв пункте 4.5.4.4.1;

4.4.2.2.

Антенных решеток, указанныхв пункте 4.5.4.4.2;

4.4.2.3.

Антенных решеток, указанныхв пункте 4.5.4.4.3;

4.4.2.4.

Антенных решеток и их компонентов, указанных в пункте 4.5.4.4.4;

4.4.3.

Программное обеспечение для разработки или производства аппаратуры, указаннойв пунктах 4.5.5.1 - 4.5.5.5

4.4.4.

Программное обеспечение, специально разработанное для использования в системах и оборудовании, определенных в пункте 4.1.1

4.4.5.

Программное обеспечение для разработки или производства элементов электровакуумных СВЧ-приборов, указанныхв пунктах 4.5.3.4.1 - 4.5.3.4.3

4.4.6.

Программное обеспечение для разработки оптико-электронных телескопических комплексов, указанных в пункте 4.5.8

(Пункт в редакции Постановления Правительства Российской Федерации от 26.01.2023 № 105)

4.5.

Технология

4.5.1.

Технологии, связанные с разработкой, производством или применением вакуумной электроники, акустоэлектроники и сегнетоэлектрики:

4.5.1.1.

Технологии разработки, производства или применения оборудования с цифровым управлением, позволяющего осуществлять автоматическую ориентацию рентгеновского луча и коррекцию углового положения кварцевых кристаллов с компенсацией механических напряжений, вращающихся по двум осям при величине погрешности 10 угловых секунд или менее, которая поддерживается одновременно для двух осей вращения;

4.5.1.2.

Технологии разработки, производства или применения оборудования для равномерного покрытия поверхности мембран, электродов и волоконно-оптических элементов монослоями биополимеров или биополимерных композиций

4.5.2.

Технологии разработки, производства или применения любой из нижеприведенной криогенной техники, разработанной для получения и поддержания регулируемых температур ниже 100 K и пригодной для использования на подвижных наземных, морских, воздушных или космических платформах:а) низкотемпературных контейнеров;б) криогенных трубопроводов; илив) низкотемпературных рефрижераторных систем закрытого типа

4.5.3.

Технологии разработки, производства или применения источников микроволнового излучения (в том числе СВЧ-излучения) средней мощностью более 3 МВт с энергией в импульсе более 10 кДж:

4.5.3.1.

Технологии разработки, производства или применения мощных переключателей, таких как водородные тиратроны, и их компонентов, в том числе устройств получения длительных (до 30 с) импульсов;

4.5.3.2.

Технологии разработки, производства или применения волноводов и их компонентов, в том числе:

4.5.3.2.1.

Массового производства одно- и двухгребневых волноводов и высокоточных волноводных компонентов;

4.5.3.2.2.

Механических конструкций вращающихся сочленений;

4.5.3.2.3.

Устройств охлаждения ферромагнитных компонентов;

4.5.3.2.4.

Прецизионных волноводов миллиметровых волн и их компонентов;

4.5.3.2.5.

Ферритовых деталей для использования в ферромагнитных компонентах волноводов;

4.5.3.2.6.

Ферромагнитных и механических деталей для сборки ферромагнитных узлов волноводов;

4.5.3.2.7.

Материалов типа "диэлектрик-феррит" для управления фазой сигнала и уменьшения размеров антенны;

4.5.3.3.

Технологии разработки, производства или применения СВЧ- и ВЧ-антенн, специально предназначенных для ускорения ионов

4.5.3.4.

Технологии разработки или производства следующих элементов электровакуумныхСВЧ-приборов:

4.5.3.4.1.

Безнакальных и вторично-эмиссионных эмиттеров;

4.5.3.4.2.

Высокоэффективных эмиттеров с плотностью тока катода более 10 А/см2;

4.5.3.4.3.

Электронно-оптических и электродинамических систем для многорежимных ламп бегущей волны (ЛБВ) , многолучевых приборов и гиротронов

4.5.4.

Технологии, связанные с исследованием проблем распространения радиоволн в интересах создания перспективных систем связи и управления:

4.5.4.1.

Технологии разработки, производства или применения средств КВ-радиосвязи:

4.5.4.1.1.

Технологии разработки, производства или применения автоматически управляемыхКВ-радиосистем, в которых обеспечивается управление качеством работы каналов связи;

4.5.4.1.2.

Технологии разработки, производства или применения устройств настройки антенн, позволяющих настраиваться на любую частоту в диапазоне от 1, 5 МГц до 88 МГц, которые преобразуют начальный импеданс антенны с коэффициентом стоячей волны от 3 - 1 или более до 3 - 1 или менее, и обеспечивающих настройку при работе в любом из следующих режимов:а) в режиме приема за время 200 мс или менее;б) в режиме передачи за время 200 мс или менее при уровнях мощности менее 100 Вт и за 1 с или менее при уровнях более 100 Вт;

4.5.4.2.

Технологии разработки, производства или применения широкополосных передающих антенн, имеющих коэффициент перекрытия частотного диапазона в пределах 10 и более и коэффициент стоячей волны не более 4;

4.5.4.3.

Технологии разработки, производства или применения станций радиорелейной связи, использующих эффект тропосферного рассеяния, и их компонентов, таких как:

4.5.4.3.1.

Усилителей мощности для работы в диапазоне частот от 300 МГц до 8 ГГц, использующих жидкостно- и пароохлаждаемые электронные лампы мощностью более 10 кВт или лампы с воздушным охлаждением мощностью 2 кВт или более и коэффициентом усиления более20 дБ, включая усилители, объединенные со своими источниками электропитания;

4.5.4.3.2.

Приемников с уровнем шумов менее 3 дБ;

4.5.4.3.3.

Специальных микроволновых гибридных интегральных схем;

4.5.4.3.4.

Фазированных антенных решеток, включая их распределенные компоненты для формирования луча;

4.5.4.3.5.

Адаптивных антенн, способных к установке нуля диаграммы направленности в направлении на источник помех;

4.5.4.3.6.

Средств радиорелейной многоканальной (более 120 каналов) связи с разделением каналов по частоте;

4.5.4.4.

Технологии разработки, производства или применения космических спутниковых систем связи и их элементов, таких как:

4.5.4.4.1.

Развертываемых антенн с размерами апертуры более 2, 8 м, изменяющих при складывании или развертывании форму рабочей поверхности отражателя и (или) излучателя, а также механизмов их развертывания, включая контроль поверхности антенн при их изготовлении и динамический контроль развернутых антенн;

4.5.4.4.2.

Антенных решеток с фиксированной апертурой, включая контроль их поверхности при производстве;

4.5.4.4.3.

Антенных решеток, состоящих из линейки рупорных излучателей, формирующих диаграмму направленности путем

Новости

ПОРТАЛ ПРАВИТЕЛЬСТВА РОССИИ